型号:

PESD15VS2UT

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
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PESD15VS2UT 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) PESD15VS2UT
库存数量
库存:
2130
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.10302
3000+
0.08181
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)15V
钳位电压35V
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压17.6V
反向电流(Ir)500nA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容50pF

PESD15VS2UT 产品概述

一、产品简介

PESD15VS2UT 是 UMW(友台半导体)推出的一款面向静电放电与浪涌防护的 TVS/ESD 器件,封装为 SOT-23,适用于对 I/O 接口、信号线及电源线进行瞬态过压保护。器件主要规格包括:反向工作电压 Vrwm = 15V,击穿电压 Vbr ≈ 17.6V,钳位电压 Vc ≈ 35V(在 8/20µs 浪涌下),峰值脉冲功率 Ppp = 350W(8/20µs),峰值脉冲电流 Ipp = 10A(8/20µs),结电容 Cj = 50pF,反向漏电流 Ir = 500nA。器件通过 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 等静电与浪涌抗干扰标准认证,适合工业与消费类电子的抗扰设计需求。

二、主要特性与优势

  • 高频响应快、瞬态吸收能力强:350W(8/20µs)峰值能量与 10A 峰值电流,能有效抑制常见的静电和雷击感应浪涌。
  • 低泄漏与稳定击穿点:Vrwm 15V 及 500nA 的低反向电流,适合对偏置敏感的电路。
  • 中等结电容(50pF):在多数数字与模拟接口中可以接受;对极高速差分接口需在系统级评估。
  • 工业级兼容性:满足 IEC 61000-4 系列防护等级,便于满足产品 EMC 设计要求。
  • SOT-23 小封装:便于表面贴装、自动化生产和空间受限 PCB 布局。

三、典型应用场景

  • USB、串口、CAN、RS-485 等通信接口保护(需按接口电压与带宽评估)。
  • 电源回路的瞬态抑制,尤其是 15V 型电源轨的本地防护。
  • 工业控制器、消费电子、测试设备等要求 IEC-级别静电/浪涌防护的终端产品。

四、设计与布局建议

  • 器件应尽量靠近被保护的接口或引脚贴装,走线最短以降低寄生感应。
  • 提供良好接地面(地平面)并在保护器与地之间保持低阻抗回流路径。
  • 对于对延迟与带宽敏感的高速信号,建议评估 50pF 电容对信号完整性的影响,必要时考虑并联阻抗或选择低容型保护器件。
  • SOT-23 封装热容有限,大电流冲击时需在 PCB 散热与保护策略上做好配合(如串联阻抗、限流元件等)。

五、使用注意事项

  • 持续工作电压不应超过 Vrwm(15V),长期超压可能导致漏流或失效。
  • 钳位电压 35V 是在 8/20µs 条件下的典型值,实际系统中若电流更大或波形不同,钳制水平会变化。
  • 在选择用于差分线或对称保护时,确认器件的单/双向特性与接法以免影响信号极性。

六、型号与采购

型号:PESD15VS2UT;品牌:UMW(友台半导体);封装:SOT-23。建议在样片验证中复核器件在目标应用下的钳位行为、结电容对信号的影响及热稳定性,以确保设计满足 EMC 与可靠性要求。