AZV831KTR-G1 产品概述

一、概述

AZV831KTR-G1 是 DIODES（美台）推出的一款单路运算放大器，封装为 SOT-23-5。器件强调低功耗与高输入阻抗，支持轨到轨输入与轨到轨输出，适合便携和电池供电系统中的精密信号处理。工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃。

二、主要电气参数

• 放大器数：单路
• 最大电源宽度 (Vdd–Vss)：5.5V
• 单电源工作范围：1.6V ～ 5.5V；双电源：Vee ~ Vcc = -0.8V ～ 2.5V
• 增益带宽积（GBP）：1MHz
• 压摆率（SR）：0.45 V/µs（450 V/ms）
• 输入失调电压（Vos）：典型 500 µV，温漂 2 µV/℃
• 输入偏置电流（Ib）：1 pA；输入失调电流（Ios）：1 pA
• 噪声密度：27 nV/√Hz @1 kHz
• 共模抑制比（CMRR）：75 dB
• 静态电流（Iq）：70 µA
• 输出电流能力：185 mA（短时/驱动能力需参照具体应用）

三、性能特点与优势

• 轨到轨输入/输出可充分利用低电压单电源，最低仅 1.6V 即可工作，适合便携设备与低功耗系统。
• 极低的输入偏置电流（1 pA）和低失调漂移使其非常适合高阻传感器、精密电荷放大/测量场合。
• 1 MHz 的 GBP 适合多种低频滤波器、缓冲和放大任务；27 nV/√Hz 的噪声水平适合要求中等噪声的前端放大。
• 70 µA 的静态电流在保持低功耗的同时提供较强的输出驱动能力（185 mA），对单片机外围驱动或短时负载冲击有利。

四、典型应用场景

• 电池供电的传感器接口（温湿度、光电、气体传感等）
• 精密缓冲放大器、滤波器（低通、带通）与仪表放大前端
• 采集系统的ADC驱动与信号调理
• 低功耗便携设备、可穿戴电子以及数据采集模块

五、使用建议与注意事项

• 电源去耦：靠近封装布置 0.1 µF 至 1 µF 陶瓷去耦电容以保证稳定性与抗干扰。
• 大电容性负载：输出直接驱动大电容可能引发振荡，建议串联小阻抗（10–100 Ω）或缓冲器。
• 布局要点：高阻输入节点需避开噪声源，提供干净的地回流路径以保留低偏置和低噪声优势。
• 带宽与速率限制：GBP 1 MHz 与 SR 0.45 V/µs 在处理高速大幅度波形时会限制瞬态响应，应在系统设计中评估闭环增益与所需带宽。

六、封装与订购信息

• 封装：SOT-23-5，适合空间受限的表贴应用。
• 品牌：DIODES（美台）
• 订购时请参考完整型号 AZV831KTR-G1 并确认器件批次与可靠性规格（如需工业或特殊温度等级，请与供应商确认）。

总结：AZV831KTR-G1 将低功耗、高输入阻抗与轨到轨性能结合，适合对直流精度和低偏置要求高且供电受限的便携和工业应用。在系统设计阶段注意带宽、压摆率和负载特性，可充分发挥其在传感器接口与信号调理方面的优势。