CESD15VD5 产品概述

一、主要参数与标称值

CESD15VD5（品牌：CJ/长晶，封装：SOD-523）是一颗单路、单向TVS二极管，面向对抗瞬态过压和静电放电的保护场景。关键电气参数如下：钳位电压 Vc = 34V；击穿电压 Vbr ≈ 16.7V；反向截止电压（稳态电压） Vrwm = 15V；峰值脉冲功率 Ppp = 323W；峰值脉冲电流 Ipp = 9.5A；反向漏电流 Ir = 1µA；结电容 Cj = 48pF；符合 IEC 61000-4-2 静电放电防护等级。

二、工作原理与极性说明

作为单向TVS，CESD15VD5 在正常工作时以 Vrwm = 15V 的反向偏置工作；当输入电压超过击穿电压（约16.7V）并在浪涌发生时，器件进入雪崩导通，将瞬态能量钳位到约34V，从而把危害能量导入地线，保护下游电路。器件单向极性适合直流电源或单极数据/通信线保护；若需双向保护，应选用双向型TVS。

三、性能亮点与优势

• 高脉冲能量吸收：Ppp = 323W，可承受较大瞬态能量与高幅值脉冲。
• 高峰值冲击能力：Ipp = 9.5A，适用于常见的浪涌与ESD事件缓冲。
• 低漏电流：Ir = 1µA，在稳态下对系统功耗影响极小，适合电池供电设备。
• 小封装：SOD-523 封装体积小，适合空间受限的便携类或高密度PCB布局。
• 通过 IEC 61000-4-2 标准认证，具备良好的静电放电防护能力。

四、典型应用场景

• USB、串口、GPIO、SIM 卡、摄像头等外部引脚的ESD/浪涌保护（特别是单向供电/信号线）。
• 手机、平板、可穿戴设备等受限空间的保护电路。
• 工业控制与仪表输入保护、消费电子接口保护等需要低漏电和小封装的场合。

五、使用建议与布局注意事项

• 布局：将 CESD15VD5 尽可能靠近被保护的外部连接器或接口放置，焊盘到器件引脚间走线要尽量短且粗，以缩短浪涌回路，降低钳位电压。
• 与地的连接要低阻抗，若可能为器件附近提供充足的地回流路径（多层板接地掏空/过孔）。
• 对高速信号线而言，48pF 的结电容可能引起信号完整性影响；用于高速差分对或射频链路前应慎重评估或选型低电容版本。
• 若用于双向或交流保护，需改用双向TVS；若需更高脉冲能量，可并联或选更大封装的器件，注意热耗及共享电流不均问题。
• 选型时核对测试条件（脉冲波形、脉冲宽度等）以确保 Ppp/Ipp 数据与实际浪涌类型相符。

六、封装与选型要点

SOD-523 小型封装适用于表面贴装自动化生产和高密度电路板。但其散热和功率承载能力受限，长时间或重复的大能量冲击可能需要更大封装或额外的热管理措施。总体而言，CESD15VD5 在要求小尺寸、低漏电、高ESD耐受的单路保护场合具有较好的性价比与实用性。