型号:

CESD5V0AP

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
CESD5V0AP 产品实物图片
CESD5V0AP 一小时发货
描述:TVS二极管 CESD5V0AP 15V SOT-23
库存数量
库存:
1809
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.11655
3000+
0.092505
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压13V
峰值脉冲电流(Ipp)13A
峰值脉冲功率(Ppp)170W@8/20us
击穿电压6.2V
反向电流(Ir)10uA
通道数双路
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容95pF

CESD5V0AP TVS二极管(5V 单向双路)产品概述

一、概述

CESD5V0AP 是 CJ(江苏长电/长晶)出品的一款面向5V工作电压系统的单向双路瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用SOT-23小封装,专为电磁放电(ESD)和浪涌脉冲保护设计。器件通过IEC 61000-4-2等级测试,适用于对线路耐浪涌与瞬态过压要求较高的消费电子与工业设备。

二、主要参数

  • 极性:单向(Unidirectional)
  • 反向截止电压 Vrwm:5 V
  • 击穿电压:6.2 V
  • 钳位电压(典型):13 V(Ipp=13 A,8/20 μs)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:13 A
  • 峰值脉冲功率 Ppp:170 W @ 8/20 μs
  • 反向电流 Ir:10 μA(典型)
  • 结电容 Cj:95 pF
  • 通道数:双路(两信号线+共地)
  • 封装:SOT-23
  • 类型/标准:ESD 保护,符合 IEC 61000-4-2

三、关键特性

  • 高能量吸收能力:170 W(8/20 μs)能处理常见的浪涌能量与脉冲功率。
  • 有效钳位:在13 V附近钳位,能在浪涌时限制电压峰值,保护下游元件。
  • 低漏电:反向漏流约10 μA,有利于5V系统的静态功耗控制。
  • 双路设计:SOT-23三引脚布局可同时保护两路信号或一对差分/两条独立线到地,节省PCB面积。
  • 相对较大结电容(95 pF):适合电源线或低速信号保护,但对高速差分接口(如USB3.0/高速串行)可能影响信号完整性。

四、典型应用

  • 5V 电源轨防护(如单片机、传感器供电)
  • USB Type-A/B 等低速/中速接口的入端防护(需注意电容影响)
  • 工控、家电类设备的人机接口、按键与开关线路防护
  • 通讯设备、POS、终端设备的防静电保护

五、封装与引脚说明

SOT-23小封装,三引脚结构,通常采用两信号引脚和一个公共接地(或共同电源端)形式,实现双路对地保护。设计时请参考器件数据手册确认引脚定义与焊盘尺寸。

六、使用与布局建议

  • 接地最短:将器件接地端尽量靠近系统地,并使用多层地或大铜箔以降低回流电感。
  • 缩短走线:保护引脚到被保护引线之间走线最短且宽,避免走弯或穿过切割区。
  • 阻抗匹配:若用于高速信号,评估95 pF电容对信号的影响,必要时选用低容版本。
  • 热性能:SOT-23散热受限,连续大能量冲击下需考虑器件热累积与布局散热。
  • 焊接兼容:遵循无铅回流焊工艺及厂方的温度曲线规范。

七、注意事项与选型建议

  • 若保护高速数据线(高频率差分),建议优先考虑结电容更低的TVS型号。
  • 查看实际钳位电压与系统耐受电压,确保13 V钳位不会损伤后级元件。
  • 验证在工作温度范围内的漏电和击穿特性,必要时进行可靠性和ESD重复打靶测试。

八、结语

CESD5V0AP 以其在SOT-23封装中集成的双路单向保护、良好的能量吸收能力和对5V系统的适配性,适合用于电源轨和低速信号的ESD/浪涌防护。选型时应综合考虑结电容对信号的影响、钳位水平与系统耐受能力,以保证长期可靠的防护效果。