型号:

L8550HPLT1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:-
批次:-
包装:-
重量:-
其他:
L8550HPLT1G 产品实物图片
L8550HPLT1G 一小时发货
描述:PNP VCEO:25V IC:1500mA
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.31
200+
0.103
1500+
0.0645
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1.5A
集射极击穿电压(Vceo)25V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@100mA,1V
集电极截止电流(Icbo)150nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@800mA,80mA
工作温度-55℃~+150℃

L8550HPLT1G 产品概述

概要

L8550HPLT1G 是一款由乐山无线电(LRC)生产的高性能 PNP 三极管,适用于各种电子设备中的功率放大和开关应用。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 225 mW
    • 这表明该三极管在正常工作条件下可以承受的最大功率。
  • 商品分类: 三极管(BJT)
    • 属于双极性晶体管家族,广泛用于电子设备中的信号放大和开关控制。
  • 工作温度: -55℃ ~ +150℃
    • 具有广泛的工作温度范围,适用于各种环境条件下的应用。
  • 晶体管类型: PNP
    • PNP 三极管的工作原理与 NPN 三极管相反,但在许多应用场景中都可以找到用途。

电气特性

  • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100 @ 100 mA, 1 V
    • 表示在集电极电流为 100 mA 和集电极-发射极电压为 1 V 时,基极输入电流与集电极输出电流的比值。高增益意味着更好的信号放大能力。
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25 V
    • 当基极不接通时,集电极与发射极之间可以承受的最大电压。超过此值可能导致晶体管损坏。
  • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500 mV @ 800 mA, 80 mA
    • 在饱和状态下,集电极与发射极之间的电压。低饱和电压意味着更低的能量损耗和更高的效率。
  • 集电极截止电流(Icbo): 150 nA
    • 当基极与发射极短路时,集电极与发射极之间的漏电流。低截止电流表明该三极管在关闭状态下能更好地隔离信号。
  • 集电极电流(Ic): 1.5 A
    • 表示该三极管可以承受的最大连续集电极电流,适用于中等到高功率的应用。

应用场景

L8550HPLT1G 因其优异的电气特性和广泛的工作温度范围,适用于以下几个主要应用领域:

  1. 功率放大

    • 由于其高增益和较高的集电极电流能力,L8550HPLT1G 可以用于中等功率的信号放大,如音频功率放大器、驱动器等。
  2. 开关控制

    • 低饱和电压和高切换速度使其非常适合用于开关控制应用,如继电器驱动、电机控制等。
  3. 自动控制系统

    • 在自动控制系统中,L8550HPLT1G 可以作为控制元件,用于实现逻辑运算和信号传递。
  4. 工业电子设备

    • 其广泛的工作温度范围使其特别适合用于工业环境下的电子设备,如控制板、驱动单元等。
  5. 汽车电子系统

    • 在汽车电子系统中,L8550HPLT1G 可以用于各种控制和驱动应用,例如灯光控制、传感器接口等。

封装

虽然提供的信息中没有明确指定封装类型,但通常来说,类似的三极管会采用 TO-220、TO-92 或 SOT-223 等常见封装形式,以便于安装和散热。

总结

L8550HPLT1G 是一款性能优异、应用广泛的 PNP 三极管。其高增益、低饱和电压和广泛的工作温度范围,使其成为中等到高功率电子设备中的理想选择。无论是在工业自动化、汽车电子还是消费电子领域,L8550HPLT1G 都能提供可靠的性能和高效的操作。通过选择此产品,设计师可以确保他们的系统具有高可靠性和稳定性。