FDG6303N 产品概述

一、产品简介

FDG6303N 是 ON Semiconductor（安森美）提供的一款双通道 N 沟道增强型场效应管（MOSFET），以小型表面贴装封装 SC-88（等同 SC-70-6）形式提供。器件面向低电压、低功耗电子系统的开关与电源管理应用，集成两路独立 N 沟 MOSFET，便于在空间受限的电路中实现功率控制与信号隔离。

二、主要规格

• 通道数量：2 个 N 沟道
• 漏源耐压 Vdss：25 V
• 连续漏极电流 Id：500 mA
• 导通电阻 RDS(on)：600 mΩ @ Vgs = 2.7 V
• 耗散功率 Pd：300 mW
• 阈值电压 Vgs(th)：1.5 V @ 250 µA
• 栅极总电荷 Qg：2.3 nC @ 4.5 V
• 输入电容 Ciss：50 pF @ 10 V
• 反向传输电容 Crss：9 pF @ 10 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SC-88（SC-70-6），表面贴装

三、主要特性与优势

• 逻辑电平驱动特性：Vgs(th) 约 1.5 V，可在较低栅压下导通，适合与 2.5–4.5 V 逻辑电平直接驱动。
• 低栅极电荷：Qg = 2.3 nC（4.5 V）使器件在中等频率开关下具有较低驱动能耗，便于小型驱动器或 MCU 直接控制。
• 小封装、高集成度：SC-88 小体积有利于便携设备、移动终端与空间受限板级应用。
• 宽温工作范围：-55 ℃ 到 +150 ℃，适合工业级温度需求。

四、典型应用场景

• 电源路径/负载开关与电源管理（便携设备、传感器节点）
• USB/外设电源切换与短路检测（小电流负载）
• 指示灯/小功率 LED 驱动与开关
• 信号切换、模拟开关与电平移位场合
• 电池保护与充电管理系统中低侧开关

五、设计与使用建议

• 热设计：Pd = 300 mW，器件对散热敏感，需通过 PCB 铜箔面积与散热过孔来提高功耗吞吐能力并做好功率降额。
• 驱动电压：若追求较低 RDS(on)，建议保证 Vgs 在接近 2.7 V 及以上；对快速开关应考虑驱动能力以控制开关损耗。
• 开关速度与 EMI：较低的 Qg 有利于降低驱动损耗，但在高 dV/dt 场景下仍需注意布局与阻尼以抑制振铃与 EMI。
• 并联与保护：小封装限制了并联散热与电流均流；对过流与过温应在系统层面增加保护电路。

六、封装与可靠性

SC-88（SC-70-6）封装适合自动贴片生产，重量轻、占板面积小。器件规格覆盖工业级温度并符合常见基板工艺要求。选型时应结合系统最大工作电流与功耗评估是否需要更低 RDS(on) 或更大功率器件。

总结：FDG6303N 适用于需要双通道、低成本、低电容与低栅极驱动能耗的低电压小功率开关场合。对于持续大电流或高功耗场景，应考虑热预算或选用更大功率/更低导通阻抗的器件。