FDC2612 产品概述

一、主要参数

FDC2612 为一颗单片 N 沟道增强型 MOSFET（品牌：ON/安森美），面向中高压、低功率开关场合。关键参数如下：

• 漏源电压 Vdss：200 V
• 连续漏极电流 Id：1.1 A
• 导通电阻 RDS(on)：725 mΩ @ VGS = 10 V
• 阈值电压 VGS(th)：4.5 V @ ID = 250 μA
• 总栅极电荷 Qg：11 nC @ VGS = 10 V
• 输入电容 Ciss：234 pF；输出电容 Coss：18 pF；反向传输电容 Crss：8 pF
• 功耗 Pd：1.6 W（封装热性能及 PCB 散热影响实际允许功耗）
• 封装：TSOT-23-6（小型封装）
• 器件类型：N 沟道单元，单个器件包装，适合单通道应用

二、器件特性与驱动要求

FDC2612 为 200 V 等级的 N 沟 MOSFET，适合承受高电压但电流能力和导通损耗属于中等水平。RDS(on) 在 10 V 驱动下约 725 mΩ，表明本器件并非低电阻功率 MOSFET，适用于低至中等电流、对导通损耗容忍的场合。阈值电压较高（≈4.5 V），因此建议用接近 10 V 的栅极驱动电压以获得额定 RDS(on)。Qg≈11 nC，配合驱动器时需考虑栅极驱动器的瞬时电流和开关损耗。

三、典型应用场景

• 离线小功率开关电源次级整流或同步整流（电流要求不高时）
• LED 驱动器、恒流/恒压控制中作为开关元件
• 高压开关、浪涌限流、电子负载及保护电路
• 电池管理（高压段）与小功率 DC–DC 变换器
  其优点在于 200 V 耐压与小型封装适配空间受限的高压电路板。

四、热管理与 PCB 布局建议

• 由于 TSOT-23-6 封装的散热受限，1.6 W 的功耗须结合 PCB 铜箔面积与散热通孔设计；在持续工作场合应评估结温并适当降额。
• 栅极走线要短、粗，避免形成大的环路以减少寄生电感与振铃；在栅极串联小电阻（10–100 Ω）以抑制开关瞬态。
• Drain 与 Source 的电流回路应最短且尽量靠近器件引脚布线；对高 dv/dt 场合考虑增加 RC 缓冲或吸收网络、并配置合适的 TVS 抑制瞬态过压。

五、使用注意与替代考虑

• 由于较高的 VGS(th)，在 5 V 逻辑驱动下无法保证低 RDS(on)，控制器或驱动器需提供更高的栅极电压（建议接近 10 V）。
• 对于要求更低导通损耗或更高连续电流的应用，应选择 RDS(on) 更低、热性能更好的器件或更大封装。
• 在高开关频率或高动态应力下，应评估开关损耗（与 Qg、Coss 相关），并做好散热与 EMI 抑制设计。

总结：FDC2612 适用于空间受限且需要 200 V 耐压的低至中等电流开关场合，设计时需重视栅极驱动、开关损耗与 PCB 散热优化。