型号:

CD4069UBM/TR

品牌:HGSEMI(华冠)
封装:SOIC-14
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
CD4069UBM/TR 产品实物图片
CD4069UBM/TR 一小时发货
描述:反相器
库存数量
库存:
4304
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.337
2500+
0.295
产品参数
属性参数值
工作电压3V~15V
静态电流(Iq)4uA
灌电流(IOL)24mA
拉电流(IOH)10mA
输入高电平(VIH)4V~12V
输入低电平(VIL)1V~3V
输出高电平(VOH)4.95V~14.95V
低电平范围(VOL)50mV
传播延迟(tpd)27ns@15V,51pF
系列4000B系列
工作温度-40℃~+85℃

CD4069UBM/TR 产品概述

一、产品概述

CD4069UBM/TR(HGSEMI 华冠)是4000B系列的六反相器器件,采用 SOIC-14 封装并提供卷带供货(/TR)。器件属于低功耗 CMOS 逻辑器件,工作电压宽(3V~15V),适用于电平转换、信号反向、振荡器与通用逻辑反相需求。

二、主要规格

  • 系列:4000B 系列(CD4069UBM)
  • 封装:SOIC-14(商业级卷带 /TR)
  • 工作电压:3V ~ 15V
  • 输入高电平阈值 (VIH):4V ~ 12V(随工况变化)
  • 输入低电平阈值 (VIL):1V ~ 3V(随工况变化)
  • 输出高电平 (VOH):4.95V ~ 14.95V(在相应 VDD 下)
  • 输出低电平 (VOL):50mV(典型)
  • 输出驱动:拉电流 IOH = 10mA,灌电流 IOL = 24mA
  • 静态电流 (Iq):约 4µA(典型,低功耗)
  • 传播延迟 (tpd):27ns @ 15V、CL=51pF
  • 工作温度:-40℃ ~ +85℃

三、电气特性解析

器件为 CMOS 反相器,静态功耗极低(Iq ≈ 4µA),适合电池供电或低功耗系统。输出在高电平时有良好幅值(VOH 接近 VDD),低电平输出可至几十毫伏,保证较强的逻辑电平识别。输出驱动能力表现在源电流 IOH=10mA、灌电流 IOL=24mA,可直接驱动一般逻辑或小负载;需要大负载驱动时建议加缓冲器或驱动器。传播延迟随电源电压与负载电容变化,规格给出 15V/51pF 下约 27ns,低电压时延将增大。

四、典型应用

  • 通用逻辑反相与电平翻译(宽电压范围有利于多电平系统)
  • 低频振荡器与 RC 网络(UBM 型号常用于环振荡器设计)
  • 传感器前端的逻辑整形与驱动
  • 电池供电设备与便携式仪器(低静态电流优势)
  • 教学与快速原型验证电路

五、封装与引脚概况

SOIC-14 封装包含 6 个独立反相器,外部仅需连接 VDD 与 VSS(地)。器件 /TR 表示以卷带方式供货,适合自动贴片装配。典型应用中建议将未使用的输入固定为确定电平以防止浮空引入噪声或额外功耗。

六、设计注意事项与建议

  • 电源去耦:靠近 VDD–VSS 放置 0.1µF 陶瓷电容,抑制瞬态干扰与减少传播延迟变化。
  • 输入保护:避免输入在电源关断时被驱动(可能出现电流回流),必要时在输入端加入上拉/下拉或限流电阻。
  • 负载匹配:当驱动高电流或容性负载时,应评估输出热耗与延迟上升,必要时使用外部推挽驱动器。
  • 工作温度:工业级温度范围内性能稳定,但在极限温度或高湿环境下应做可靠性验证。
  • 布局建议:高速或敏感信号走线短且靠近地平面,减少寄生电容与耦合。

总结:CD4069UBM/TR 是一款通用、低功耗且工作电压范围宽的六反相器,适用于多种逻辑与模拟混用场景,注意电源去耦和输入稳定处理即可发挥其性能。