型号:

ESD5Z5VL-2/TR

品牌:WILLSEMI(韦尔)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
ESD5Z5VL-2/TR 产品实物图片
ESD5Z5VL-2/TR 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 TVS VRWM=5V VBR(Min)=7V VC=18V IPP=4A Ppp=60W SOD523
库存数量
库存:
4629
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.228
3000+
0.202
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)60W@8/20us
击穿电压8V
反向电流(Ir)1nA
通道数单路
工作温度-40℃~+85℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容1.2pF

ESD5Z5VL-2/TR 产品概述

一、产品简介

ESD5Z5VL-2/TR 是 WILLSEMI(韦尔)推出的一款小体积单路单向瞬态电压抑制二极管(TVS),采用 SOD-523 封装并以带卷(TR)方式供货。该器件针对低电压高速数据线与接口的静电与浪涌保护进行了优化,具有极低结电容和高能量吸收能力,适合移动终端、消费电子及工业控制等应用场景。

二、主要电气参数

  • 反向工作电压 Vrwm:5 V
  • 典型/击穿电压 VBR:≈8 V(VBR(min) = 7 V)
  • 典型钳位电压 VC:15 V(在指定测试条件下);最大瞬态钳位可达 18 V(按 8/20µs 波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:60 W(8/20µs)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:4 A(8/20µs)
  • 反向漏电流 Ir:1 nA(静态)
  • 结电容 Cj:1.2 pF(典型值)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 通道数:单路;极性:单向

三、产品特性与优势

  • 低结电容(1.2 pF),对高速信号影响小,适合 USB、HDMI、LVDS、串口等高速接口保护。
  • 小体积 SOD-523 封装,便于高密度 PCB 布局与空间受限的移动设备应用。
  • 优良的瞬态吸收能力:60 W(8/20µs)能有效抑制电气快速瞬变和雷击引起的浪涌。
  • 极低漏电流(1 nA),降低对电源和敏感模拟电路的影响。
  • 符合 IEC 61000-4-2(静电放电)、IEC 61000-4-4(电快速瞬变)与 IEC 61000-4-5(浪涌)等电磁兼容测试标准,可靠性高。

四、典型应用场景

  • 手机、平板、可穿戴终端的 I/O 与充电接口防护;
  • 消费类电子(蓝牙、Wi‑Fi 模块、摄像头模块)信号线保护;
  • 工业与楼宇自动化系统的低压信号线保护;
  • 车载信息娱乐系统、车身电子的次级电路保护(需评估温度与汽车级要求);
  • 存储器/接口芯片管脚、外设连接线(比如键盘、触摸屏)的局部保护。

五、封装与布局建议

  • SOD-523 封装尺寸小,建议将 TVS 尽量靠近受保护的插口或器件引脚放置,以减小走线感抗与电感,提高钳位效率。
  • 采用宽地线或接地铜箔并通过短而直接的回流路径接地,保证瞬态能量能够快速分流到地。
  • 对于高速差分对,若只需单向保护,应评估结电容对信号完整性的影响,并考虑在必要处使用差分或双通道保护方案。

六、使用与注意事项

  • 器件为单向 TVS,通常将阴极连接到需保护的信号线,阳极接地(在 PCB 标识上注意极性);错误连接可能导致保护失效或器件损坏。
  • 适用于回流焊工艺的 PCB 装配,但需按制造商给出的焊接规范控制温度曲线以保证可靠性。
  • 在高能量冲击应用(例如直流高能浪涌)时,应评估能量余量并考虑并联更高能量器件或外部限流措施。
  • TR 后缀表示带卷(Tape & Reel)包装,适合 SMT 自动化贴片生产。

七、订购信息示例

产品型号:ESD5Z5VL-2/TR
封装:SOD-523
品牌:WILLSEMI(韦尔)
说明:单路、单向、Vrwm=5V、Ipp=4A、Ppp=60W(8/20µs)

如需样品、详细数据手册(包含典型特性曲线、封装尺寸与回流焊工艺建议)或其它电气参数测试条件,请在设计前联系供应商或参阅官方规格书,以保证在目标系统中的匹配与可靠性。