LM5155QDSSRQ1 产品概述

一、器件定位与功能

LM5155QDSSRQ1 是德州仪器（TI）的一款高频升压/升降压控制器，支持反激式、升压式和 SEPIC 拓扑，面向需要单通道输出的电源设计。器件用于外置开关管驱动，非同步整流结构，适合对输入电压范围宽、工作环境要求苛刻的场合。

二、关键规格亮点

• 输入工作电压：2.97V ～ 45V，适应宽输入源（例如电池、车载总线或工业电源）。
• 开关频率：2.2MHz，高开关频率有助于减小外部电感与电容体积。
• 静态电流 Iq：约 480 µA，待机能耗低，利于节能设计。
• 工作结温：-40℃ ～ +150℃@(TJ)，适合高温工业/车规级应用。
• 开关管：外置 MOSFET（器件为控制器，不集成开关管），便于按功率等级选型。
• 同步整流：否（使用二极管整流或外部同步方案），简化控制但输出整流损耗需考虑。
• 输出通道数：1（单输出）。
• 封装：WSON-12-EP (2x3)，带底部散热焊盘，便于热管理。

三、拓扑与电路实现要点

LM5155QDSSRQ1 可实现升压、升降压（SEPIC）以及反激式转换器设计。由于采用外置开关管与非同步整流，设计时需：

• 选择合适耐压与低 RDS(on) 的 MOSFET，兼顾导通损耗与开关损耗（在 2.2MHz 下门极电荷影响显著）。
• 输出整流建议选用低正向压降的肖特基二极管以降低损耗，或在允许的热/复杂度下采用外部同步整流器件。
• 高频工作利于小型磁性件，但需重视磁芯损耗与 EMI 抑制。

四、热设计与封装注意

WSON-12-EP (2x3) 带有底部散热焊盘（EP），正确焊接到 PCB 大铜箔并做热通孔能显著改善散热性能。器件允许的结温上限为 150℃，在高温或高负载工况下应留足安全裕量并评估散热路径。

五、工程实用建议

• PCB 布局：开关节点短而粗，输入去耦靠近器件，环路面积尽量小以降低 EMI。
• 被动元件：在 2.2MHz 下优先选用低 ESR/低 ESL 的陶瓷电容和针对高频优化的电感。
• 保护与滤波：根据应用加入输入过压、过流与输出滤波；反激拓扑需考虑续流路径与吸收网络。
• 调试：建议在原型阶段测量温升、效率与稳定性（环路补偿），并验证 EMI 满足系统要求。

六、典型应用

适用于便携电源管理、车载外围电源、工业控制模块、小型 LED 驱动与其他需要宽输入、单输出的升压/升降压电源场景。该器件结合高温等级与高频特性，尤其适合对器件耐热与体积有较高要求的应用。