型号:

LM5109BSD/NOPB

品牌:TI(德州仪器)
封装:WSON-8-EP(4x4)
批次:22+
包装:编带
重量:1g
其他:
LM5109BSD/NOPB 产品实物图片
LM5109BSD/NOPB 一小时发货
描述:栅极驱动芯片 LM5109BSD/NOPB
库存数量
库存:
189
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.17
1000+
4
产品参数
属性参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)1A
工作电压8V~14V
上升时间(tr)15ns
下降时间(tf)15ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)1.8V
输入低电平(VIL)1.8V
静态电流(Iq)300uA

LM5109BSD/NOPB 产品概述

一、概述与定位

LM5109BSD/NOPB 是德州仪器(TI)提供的一款双通道半桥栅极驱动芯片,专为驱动功率 MOSFET 设计。器件在 8V–14V 工作电压下工作,单通道提供高达 1A 的拉/灌电流(IOH/IOL),适合中高频开关应用,兼顾效率与快速开关性能。

二、主要电气参数

  • 驱动配置:半桥(High/Low 两路驱动器)
  • 负载类型:MOSFET 驱动
  • 驱动通道数:2(双通道)
  • 灌电流 IOL:1A;拉电流 IOH:1A
  • 工作电压:8V ~ 14V
  • 上升/下降时间:tr = 15ns,tf = 15ns(典型)
  • 输入门限:VIH = 1.8V,VIL = 1.8V(按给定规格)
  • 静态电流 Iq:300 μA
  • 保护功能:欠压保护(UVP)
  • 工作温度范围:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:WSON-8-EP(4×4)
  • 无铅/无卤:NOPB 标识(符合 RoHS 要求)

三、功能与保护

本芯片集成了欠压检测(UVP),在驱动电源不足时自动抑制输出以保护外部 MOSFET 与负载。低静态电流特性使其在待机或低占空比工作下耗能小。1A 的短时驱动能力可满足快速开关所需峰值电流,降低开关损耗与交越时间。

四、典型应用场景

  • 同步降压转换器(Buck)和半桥拓扑
  • 无刷直流电机(BLDC)驱动与逆变器前端
  • 电源管理与点到点电源转换
  • 高速开关电源和功率级驱动模块

五、 PCB 设计与使用建议

  • 在 VCC 和 BOOT/高端供电附近放置低 ESR 去耦电容(如 0.1 μF + 1 μF),靠近芯片引脚焊盘。
  • 对高速布局,缩短驱动引线与 MOSFET 门极之间连线,必要时串联门极阻抗以抑制振铃并控制上升/下降斜率。
  • WSON-8-EP 热焊盘须良好接地并加大散热层与过孔,以利热量通过 PCB 释放。
  • 注意器件 UVP 行为与系统上电/关断顺序,避免在欠压状态频繁切换造成误动作。

六、采购与合规

型号后缀 NOPB 表示无铅(No Pb),符合环保与 RoHS 要求。封装为 WSON-8-EP(4×4),适合紧凑功率密度设计。购买时请确认 TI 正品渠道并核对规格书最新版本以获悉典型波形与绝对最大额定值。

总结:LM5109BSD/NOPB 提供了高速、低静态耗能与基本保护的双通道半桥驱动能力,适用于多种电源与电机控制场景。在实际设计中,应结合 PCB 布局、去耦与门极阻尼优化系统性能与可靠性。