型号:

TLV2171IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:0.196g
其他:
TLV2171IDR 产品实物图片
TLV2171IDR 一小时发货
描述:运算放大器 1.5V/us 双路 10pA 3MHz
库存数量
库存:
13013
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.99
2500+
1.9
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
轨到轨轨到轨输出
增益带宽积(GBP)3MHz
输入失调电压(Vos)2.7mV
输入失调电压温漂(Vos TC)1uV/℃
压摆率(SR)1.5V/us
输入偏置电流(Ib)10pA
输入失调电流(Ios)4pA
噪声密度(eN)16nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)105dB
静态电流(Iq)525uA
输出电流25mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.7V~36V
双电源(Vee~Vcc)-18V~-1.35V;1.35V~18V

TLV2171IDR 产品概述 — 德州仪器 双路轨到轨运算放大器

一、概述

TLV2171IDR 是 TI(德州仪器)推出的一款双通道、低功耗、轨到轨输出运算放大器。其设计兼顾低偏置电流与较宽的供电范围,适用于电池供电与工业级仪表场景。增益带宽积约 3 MHz,压摆率 1.5 V/µs,能在许多精密信号调理场合提供稳定的放大性能。

二、主要参数

  • 放大器数:双路
  • 最大电源宽度 (VDD–VSS):36 V
  • 单电源工作范围:2.7 V ~ 36 V
  • 双电源工作范围:±1.35 V ~ ±18 V
  • 轨到轨输出(Rail-to-Rail Output)
  • 增益带宽积(GBP):3 MHz
  • 输入失调电压(Vos):2.7 mV,温漂 1 µV/℃
  • 输入偏置电流(Ib):10 pA,失调电流(Ios):4 pA
  • 压摆率(SR):1.5 V/µs
  • 噪声密度(eN):16 nV/√Hz @1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):105 dB
  • 静态电流(Iq):525 µA(典型)
  • 输出电流:25 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOIC-8

三、性能亮点

  • 极低的输入偏置电流(10 pA)和低失调电压,适合高阻传感器接口与电荷/电流检测器。
  • 轨到轨输出可在低电源电压下获得更大的输出摆幅,利于单电源系统设计。
  • 低噪声(16 nV/√Hz)配合适当的增益可实现高信噪比的前端放大。

四、典型应用

  • 工业和便携式传感器信号调理(温度、电压、应变计等)
  • 电荷/光电二极管前置放大器(需要低偏置、低噪声)
  • 数据采集前端、滤波器和精密比较放大电路
  • 电池供电仪表与低压模拟电路

五、设计与布局建议

  • 电源引脚靠近封装放置去耦电容(如 0.1 µF 与 1 µF 并联),以降低电源噪声。
  • 对于高阻抗输入,采用 guard 环或缓冲以减少泄漏电流影响;避免使用潮湿或污染的 PCB 区域。
  • 大电容性负载可能影响稳定性,必要时在输出端加入小阻尼电阻。
  • 关注温漂性能与输入失调电压,关键测量可考虑软件校准或外部补偿。

六、封装与采购

TLV2171IDR 常见于 SOIC-8 封装,适合标准 PCB 工艺。采购时注意完整型号与温度等级,参考 TI 官方数据手册获取详细特性曲线与典型应用电路。

七、注意事项

  • 输出接近轨时的最大摆幅与负载有关,设计时应参考数据手册的输出摆幅曲线。
  • 在高增益或高频应用中,需权衡 GBP 与压摆率对波形失真的影响。

TLV2171IDR 以其低偏置、低噪声与宽电源范围,为需要精密测量与低功耗特性的模拟前端提供了可靠选择。欲了解更详细的电气特性与参考设计,请查阅 TI 官方数据手册。