型号:

TLV3401IDBVR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOT-23-5
批次:22+
包装:编带
重量:0.033g
其他:
TLV3401IDBVR 产品实物图片
TLV3401IDBVR 一小时发货
描述:比较器 88dB 300us 3.6mV 250pA
库存数量
库存:
700
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.75
3000+
2.63
产品参数
属性参数值
比较器数单路
输入失调电压(Vos)250uV
输入偏置电流(Ib)80pA
传播延迟(tpd)55us
共模抑制比(CMRR)76dB
输出类型开漏
输出模式CMOS;TTL
轨到轨轨到轨输入
静态电流(Iq)470nA
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)16V
单电源2.7V~16V
双电源(Vee ~ Vcc)-8V~-1.35V;1.35V~8V
输入失调电压温漂(Vos TC)3uV/℃
输入失调电流(Ios)20pA
响应时间(tr)5us

TLV3401IDBVR 产品概述

一、产品简介

TLV3401IDBVR 是德州仪器(TI)推出的一款单路超低功耗比较器,封装为 SOT-23-5。器件针对电池供电和便携式系统进行了优化,具有轨到轨输入、极低静态电流与极小的失调特性,适合需要长续航和高精度门限检测的场合。

二、主要性能参数

  • 比较器数量:单路
  • 输入:轨到轨输入(Rail-to-Rail)
  • 单电源工作电压:2.7V ~ 16V
  • 双电源支持:等效范围可达 ±1.35V ~ ±8V(最大电源宽度 16V)
  • 共模抑制比(CMRR):约 76dB(典型)
  • 输入失调电压(Vos):典型 250 μV
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):3 μV/℃
  • 输入偏置电流(Ib):典型 80 pA;输入失调电流(Ios):典型 20 pA
  • 静态电流(Iq):典型 470 nA(超低功耗)
  • 响应时间/传播延迟:典型响应时间 5 μs,传播延迟量级几十微秒(具体与负载和工作点相关)
  • 输出类型:开漏结构,兼容 CMOS / TTL 电平(需外部上拉)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOT-23-5

三、电源与输入/输出特性要点

TLV3401IDBVR 支持宽电源电压范围,单电源时可从 2.7V 工作到 16V;在需要对称电源时也能支持大范围的正负电源配置(最大电源差 16V)。轨到轨输入使其能够直接感测接近电源轨的信号,便于低压系统中的门限检测。输出为开漏,需要外部上拉电阻来生成所需的逻辑电平,支持 CMOS 和 TTL 兼容的上拉电压,便于系统接口设计。

四、低功耗与精度表现

器件静态电流仅约 470 nA,适合极低能耗应用;输入偏置电流与失调电流分别处于几十皮安数量级,结合典型 250 μV 的输入失调电压和 3 μV/℃ 的温漂,保证了在宽温度范围内的检测精度。因此在对精度和电池寿命均有较高要求的场景中具有明显优势。

五、典型应用场景

  • 电池供电的门限检测、欠压/过压监测
  • 便携仪器、医用便携设备的信号比较
  • ADC 前端的过采样/窗口比较器
  • 低速计数器、零交叉检测与开关量监控
  • 需要长待机、低静态电流的电源管理电路

六、选型与使用建议

  • 输出为开漏:设计时需配置合适上拉电阻与上拉电压以获得期望的切换速度与逻辑电平。
  • 电源去耦:为保证低失调和稳定响应,建议在近引脚处做旁路电容去耦。
  • 输入范围:虽为轨到轨输入,但在超出电源轨或快速瞬态时需注意输入保护与过压情况。
  • 温度与漂移:在高精度应用中,应评估 Vos TC(≈3 μV/℃)在工作温度范围内带来的影响并作相应补偿。
  • 封装与焊接:SOT-23-5 小封装适合空间受限方案,注意散热与焊接工艺。

总结:TLV3401IDBVR 以超低静态电流、良好的失调和温漂性能、宽电源范围及轨到轨输入为主要特点,适合对功耗和精度有双重要求的便携与电源管理类应用。在选型与设计时注意开漏输出的上拉设计和电源去耦,可发挥该器件在微功耗系统中的最大优势。