型号:

TLV2316IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:24+
包装:编带
重量:0.173g
其他:
TLV2316IDR 产品实物图片
TLV2316IDR 一小时发货
描述:运算放大器 TLV2316IDR
库存数量
库存:
1268
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.95
2500+
2.83
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)10MHz
输入失调电压(Vos)750uV
输入失调电压温漂(Vos TC)2uV/℃
压摆率(SR)6V/us
输入偏置电流(Ib)10pA
输入失调电流(Ios)10pA
噪声密度(eN)12nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)75dB
静态电流(Iq)400uA
输出电流50mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源1.8V~5.5V
双电源(Vee~Vcc)-2.75V~-900mV;900mV~2.75V

TLV2316IDR 产品概述

一、产品简介

TLV2316IDR 是德州仪器(TI)推出的一款双路精密运算放大器,面向便携和低功耗系统的信号调理需求。器件提供轨到轨输入与轨到轨输出特性,支持单电源工作电压 1.8V–5.5V,静态电流低,仅 400µA/对,适合电池供电与能耗敏感的应用场景。封装为 SOIC-8,型号便于常规 PCB 布局和量产。

二、主要性能参数

  • 共模抑制比 (CMRR):75 dB
  • 输入噪声密度 (eN):12 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 输入失调电压 (Vos):750 µV,漂移 (Vos TC):2 µV/°C
  • 输入偏置电流 (Ib):10 pA,输入失调电流 (Ios):10 pA
  • 增益带宽积 (GBP):10 MHz
  • 压摆率 (SR):6 V/µs
  • 静态电流 (Iq):400 µA(双路)
  • 输出电流:50 mA(峰值能力,视散热与工作条件)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 电源范围:单电源 1.8V ~ 5.5V;(文档中亦给出双电源条件范围)
  • 轨到轨输入与输出,便于最大化信号摆幅

三、典型应用场景

  • 便携式数据采集与传感器前端放大器(电池供电)
  • ADC 驱动与阻抗匹配(低噪声、较高 CMRR 有利于共模干扰抑制)
  • 工业与汽车电子中的低电压信号调理(工作温度覆盖 -40~125 ℃)
  • 低功耗差分放大器、滤波器和缓冲器设计

四、设计关注要点

  • 电源去耦:在 VCC/VDD 近端放置 0.1µF 陶瓷与 1µF 旁路电容,减少电源噪声与瞬变。
  • 输入保护:尽管具备轨到轨能力,超出输入共模范围或输入电流回路可能损害器件,输入端建议加限流或串联电阻用于保护。
  • 输出驱动与散热:器件可提供高达 50 mA 的输出能力,但长时间大电流输出会提升封装温升,应关注 PCB 散热与负载条件。
  • 布局:关键信号线短且靠近地平面,模拟地与数字地分离并在电源入口处合并,降低环路面积以减少 EMI。

五、封装与选型提示

  • 型号:TLV2316IDR
  • 品牌:TI(德州仪器)
  • 封装:SOIC-8,适合通用双运放替换与生产装配。
    购买与替代时请核对温度等级、功耗与输入/输出范围,确保满足系统边界条件。

总结:TLV2316IDR 在低噪声、低偏置电流、轨到轨输入输出与宽温度范围之间取得了良好平衡,适合便携与工业环境中的精密信号处理。如需更详细的典型电路、等效输入噪声频谱或应用笔记,可参考 TI 的完整数据手册。