型号:

LM393LVDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
LM393LVDR 产品实物图片
LM393LVDR 一小时发货
描述:比较器 46dB 2mV 1.65V~5.5V 5pA
库存数量
库存:
7
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.702
2500+
0.65
产品参数
属性参数值
比较器数双路
输入失调电压(Vos)400uV
输入偏置电流(Ib)5pA
传播延迟(tpd)600ns
共模抑制比(CMRR)65dB
输出类型开漏
输出模式CMOS;LVDS;TTL
轨到轨轨到轨输入
静态电流(Iq)25uA
工作温度-40℃~+125℃
单电源1.65V~5.5V
输入失调电压温漂(Vos TC)1.5uV/℃
输入失调电流(Ios)1pA

LM393LVDR 产品概述

一、概述与定位

LM393LVDR 是德州仪器(TI)出品的一款双路比较器,面向低功耗、低电压系统的门限检测与信号整形应用。器件支持单电源供电电压范围 1.65V ~ 5.5V,并且输入为轨到轨结构,适配 1.8V、3.3V 等主流逻辑电平。输出为开漏结构,通过外部上拉电阻可直接与 CMOS/TTL 电平兼容,亦可与外部器件配合实现差分或 LVDS 接口转换。

二、主要性能亮点

  • 低压工作:单电源 1.65V ~ 5.5V,适合各种低电压系统。
  • 轨到轨输入:输入允许接近电源轨,提高与低电压传感、ADC 前端接口的兼容性。
  • 极低静态电流:典型静态电流仅 25 μA/通道,适用于电池供电与能量受限的应用。
  • 极低偏置电流与偏移:输入偏置电流仅 5 pA,输入失调电压典型 400 μV,温漂 1.5 μV/℃,保证在低电流、精密检测场合的长期稳定性。
  • 良好共模抑制:共模抑制比高(典型 65 dB),在共模噪声环境下仍能保持可靠比较性能。
  • 中等响应速度:传播延迟约 600 ns,适合多数门限检测与慢速脉冲/周期测量场合。
  • 工业温度等级:工作温度 -40℃ ~ +125℃,适合工业级应用。
  • 封装:SOIC-8,便于 PCB 布局与批量生产。

三、典型应用场景

  • 低功耗传感器前端:用于光电、霍尔、温湿度等传感器的阈值检测与唤醒逻辑。
  • 门限比较与窗口比较电路:双通道可实现双阈值比较或互补监测。
  • 电源管理与电池监控:欠压/过压检测、电池电量阈值报警。
  • 信号整形与脉冲检测:将模拟信号转换成数字门控或中断信号发送 MCU。
  • 工业控制与测试设备:在高共模噪声环境下的稳定检测(得益于高 CMRR)。

四、封装与引脚注意

  • 封装形式:SOIC-8,常见于 DIP 转换与贴片生产线。
  • 输出为开漏结构:需要外部上拉电阻到所需逻辑电平(如 3.3V 或 5V),上拉电阻大小应根据所需上升时间与允许的输出电流选择。
  • 若目标系统需要 LVDS 差分输出,应通过外部差分驱动器或收发器进行电平/形式转换;本器件原生为单端开漏输出。

示例上拉电阻选择:在 3.3V 系统中,若允许比较器在低电平下最大下拉电流约 3 mA,可采用 Rpu ≈ 1 kΩ(3.3V/1kΩ ≈ 3.3 mA)。若需要更快的上升沿或更强的驱动能力,可降低 Rpu,但会增加功耗并加重下拉耗电与器件负担。

五、设计与布局建议

  • 电源去耦:在 VCC 旁靠近芯片引脚并尽量靠近地平面放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容,抑制瞬态噪声。
  • 输入防抖/滤波:对慢变或有抖动的模拟输入推荐加入 RC 低通滤波或滞回(施加少量正反馈)以避免比较器抖振。
  • 输入保护:在存在较大瞬态或电压钳位风险时,加保护二极管或限流电阻,保护超出供电轨的输入瞬态。
  • 布线注意:模拟输入与数字开关节点尽量分区,避免开关电流耦合到比较器输入轨迹;将高电流回流路径与敏感输入分开布局。

六、替代与选型提示

  • 若项目需要更高开关速度或更低传播延迟,可选用高速比较器系列;若需要差分输出或原生 LVDS,可考虑带差分驱动器的比较器或单片化收发器。
  • LM393LVDR 在低功耗与低偏置电流场合具有显著优势;选型时需重点对比输入偏置、失调、供电范围与封装要求。

总结:LM393LVDR 是一款面向低电压、低功耗及工业温度等级的双路精密比较器,凭借轨到轨输入、极低输入偏置与失调、以及开放的输出方式,适用于多种传感、保护与门限检测场景。合理的上拉与滤波设计可进一步扩大其实用性与系统鲁棒性。