LMG5200MOFR 产品概述

一、产品简介

LMG5200MOFR 为德州仪器（TI）推出的一款半桥驱动器，专为同步降压转换器中的 NMOS 配对设计。器件采用 QFM-9（6×8 mm）小型封装，适合高密度电源模块与板载点载（point-of-load）应用。驱动侧以 5V 工作电压为基准，兼顾高效能与工业级可靠性。

二、主要参数

• 驱动配置：半桥
• 工作电压：4.75 V ～ 5.25 V
• 传播延迟：tpLH = 29.5 ns，tpHL = 29.5 ns（上升/下降对称）
• 输入高电平阈值：VIH = 1.87 V ～ 2.22 V
• 输入低电平阈值：VIL = 1.48 V ～ 1.76 V
• 静态电流（Iq）：80 μA
• 特性：欠压保护（UVP）
• 工作温度范围：-40 ℃ ～ +125 ℃

三、关键特性与优势

• 低传播延迟且上/下对称（29.5 ns），利于精确时序控制与死区时间设定，减少导通重叠和开关损耗。
• 低静态电流（80 μA），有利于轻载与待机态效率优化。
• 内置欠压保护，在供电不足时防止 MOSFET 错误导通，提升系统可靠性。
• 输入门槛设计适配常见 MCU/FPGA/功率控制器的逻辑电平，便于系统接口。

四、典型应用

• 同步降压点载电源（PO L）
• 通信基站与网络设备的电源模块
• 数据中心、服务器板载供电
• 工业控制与嵌入式电源管理

五、设计与使用注意事项

• 布局：确保半桥电感、输入电容与驱动器近距离布局，减少回流环路面积以抑制 EMI。驱动器的电源旁路电容应靠近 VCC 引脚放置。
• 死区时间与门极驱动：利用器件对称的传播延迟精确设置死区时间，避免高、低侧 MOSFET 同时导通。必要时在门极串联小阻以控制上升/下降边沿，减小振铃。
• 欠压门槛：评估系统在启动与跌落电压情况下的行为，确认 UVP 动作是否满足系统保护需求。
• 热管理：QFM-9 封装需注意底部散热焊盘与 PCB 散热层设计，以保证在持续高电流切换下的可靠性。
• 接口兼容性：确认驱动输入 VIH/VIL 与所用控制器逻辑电平有足够裕量，避免抖动导致误触发。

六、封装与热性能

QFM-9（6×8 mm）提供紧凑占板面积并带有散热焊盘，适合多相或紧凑电源方案。推荐在 PCB 设计中采用多层铜填充和过孔通热，以优化器件热阻并提升长期可靠性。

七、总结

LMG5200MOFR 是一款面向高密度同步降压方案的半桥驱动器，结合低延迟、低静态电流与欠压保护，适用于对效率、时序精度和可靠性有较高要求的工业与通信电源场景。在实际设计中应重视 PCB 布局、热管理与死区时间设置，以发挥器件性能并保证系统稳定。