型号:

TLC2262CDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:0.115g
其他:
TLC2262CDR 产品实物图片
TLC2262CDR 一小时发货
描述:运算放大器 0.55V/us 双路 1pA 730kHz
库存数量
库存:
352
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.23
2500+
4.06
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)16V
轨到轨轨到轨输出
增益带宽积(GBP)710kHz
输入失调电压(Vos)950uV
输入失调电压温漂(Vos TC)2uV/℃
压摆率(SR)550V/ms
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)0.5pA
噪声密度(eN)12nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)88dB
静态电流(Iq)500uA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.2V~8V
双电源(Vee~Vcc)-8V~8V

TLC2262CDR 产品概述

一、主要特性

TLC2262CDR 是 TI(德州仪器)出品的双路低功耗精密运算放大器,具备轨到轨输出能力,适合低电压供电与电池供电应用。器件强调极低输入漏电流与较低失调,兼顾高输入阻抗与低噪声,适合对直流精度与低频信号完整性有要求的系统。

二、关键电气参数

  • 放大器数:双路
  • 最大电源宽度 (Vdd–Vss):16 V
  • 单电源工作电压:2.2 V ~ 8 V;双电源范围:±8 V(Vee~Vcc)
  • 轨到轨输出(Rail-to-Rail Output)
  • 增益带宽积(GBP):约 710 kHz(典型值约 730 kHz)
  • 压摆率(SR):0.55 V/µs(550 V/ms)
  • 输入失调电压 Vos:≈950 µV,温漂 ≈2 µV/℃
  • 输入偏置电流 Ib:≈1 pA;失调电流 Ios:≈0.5 pA
  • 噪声密度 eN:12 nV/√Hz @1 kHz
  • 共模抑制比 CMRR:≈88 dB
  • 静态电流 Iq:≈500 µA(封装/器件典型值)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOIC-8

三、典型应用场景

  • 传感器前端放大(桥式传感器、热电偶、霍尔传感器等),当需保持极低直流误差与微安级供电时尤为合适。
  • 便携式/电池供电设备的模拟信号调理与滤波。
  • 精密缓冲、低频有源滤波、采样保持前端(非高速 ADC 驱动)。
  • 仪表放大器、低速积分器及运算放大器阵列中的低噪声低偏置应用。

四、设计与布局建议

  • 为发挥低输入偏置电流优势,输入走线应尽量短且使用守护地(guard)技术以减少表面泄漏,尤其在高阻抗传感器接口处。
  • 供电引脚应靠近封装布置旁路电容(例如 0.1 µF 与 1 µF 并联),以抑制电源噪声对低频精度的影响。
  • 由于增益带宽与压摆率有限,器件适用于直流至低百 kHz 范围的信号处理;在设计 AC 放大电路或滤波器时应注意闭环增益对带宽的影响。
  • 输出驱动能力不可与高速大电流放大器相提并论,应避免驱动重阻性负载或大电容负载,否则可能出现振铃或稳定性问题。

五、封装与选型说明

TLC2262CDR 提供 SOIC-8 封装,便于小批量板级替换与标准化装配。选型时关注电源电压范围与温度等级以匹配目标应用;若需更高带宽或更快压摆率,可考虑其他系列产品,但在低偏置电流与低失调方面,TLC2262 在中低频精密场合具有明显优势。

总结:TLC2262CDR 以其轨到轨输出、极低输入偏置/失调和低功耗特性,对便携仪表、传感器接口及低频精密信号处理提供了平衡的性能与功耗方案。