DRV8251DDAR 产品概述

一、产品简介

DRV8251DDAR 是 TI（德州仪器）面向有刷直流电机控制的单通道 H 桥驱动芯片。芯片集成低侧与高侧 FET，支持 PWM 调速，适用于需要高电压、低待机功耗和紧凑封装的电机驱动场合。工作电压范围宽（4.5V 至 48V），适配广泛的直流电机供电环境。

二、主要参数

• 集成 FET：是（内置 H 桥）
• H 桥数量：1 通道
• 峰值电流：4.1A
• 工作电压：4.5V ~ 48V
• 导通电阻（RDS(on)）：450 mΩ（典型/最大值请参考原厂资料）
• 静态电流（Iq）：1 μA（低待机消耗）
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 品牌：TI（德州仪器）
• 封装：SO-8-EP（带散热焊盘）

三、产品特点

• 宽电压输入，覆盖常见电池与电源系统，适配 12V/24V 等系统
• 集成高/低侧 MOSFET，减小外部器件数目与 PCB 面积
• 低静态电流，适合需低待机功耗的便携或电池供电设备
• SO-8-EP 封装带散热垫，利于热性能管理与 PCB 散热设计
• 支持 PWM 控制，可与常见 MCU 的 PWM 输出直接配合，实现速度与制动控制

四、典型应用

• 玩具、电动工具及家电中的有刷直流电机驱动
• 小型泵、风扇、执行器的单通道驱动方案
• 工业控制、智能家居、便携设备等需要宽压输入与低待机功耗的场合

五、封装与散热注意

SO-8-EP 封装提供暴露散热焊盘（EP），建议在 PCB 设计时：

• 将 EP 与大面积铜箔连接并通过多孔过孔引到铜层以增强散热
• 在靠近电机供电引脚布置足够的去耦电容（低 ESR 电解/陶瓷并联）
• 考虑器件在峰值电流工作下的结温，必要时评估散热铜箔面积以避免热关断

六、PCB 布局与使用建议

• VM（电机电源）与芯片地应尽量短线连接，电源去耦靠近芯片引脚放置
• 在电机端加入反向吸收或 RC 抑制网络以降低电感性反冲对芯片的冲击
• PWM 与逻辑输入线应远离大电流回路，必要时加滤波/拉阻以抑制干扰
• 设计时参照 TI 原厂推荐的典型应用电路与布局指南，以确保可靠性

七、选型与注意事项

• 若系统常在接近峰值电流或连续高电流工作，应评估器件平均功耗与温升，必要时选择更低 RDS(on) 的驱动或并联方案
• 检查目标应用对电机反 EMF、过流保护、过温保护等要求，设计时补充必要的外部保护电路（保险丝、电流检测、热保护等）
• 详细参数（如引脚功能、逻辑电平、开关瞬态特性与保护机制）请以 TI 官方数据手册为准，设计验证时进行实际测量与热仿真

如需，我可以基于该器件为常见 MCU（如 STM32、ESP32）给出一套典型连接示意与元件选型清单，或帮你检查 PCB 尺寸与散热布局建议。