型号:

CSD17577Q5A

品牌:TI(德州仪器)
封装:SON-8(5x6)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
CSD17577Q5A 产品实物图片
CSD17577Q5A 一小时发货
描述:表面贴装型-N-通道-30V-60A(Ta)-3W(Ta)-53W(Tc)-8-VSONP(5x6)
库存数量
库存:
804
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.37
2500+
1.3
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))4.8mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)53W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.31nF
反向传输电容(Crss)102pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)270pF

CSD17577Q5A 产品概述

一、产品简介

CSD17577Q5A 是德州仪器(TI)推出的一款高性能表面贴装 N 沟道功率 MOSFET,额定漏源耐压 30V,器件在常温条件下可提供高达 60A 的连续漏极电流(Id),封装为 VSONP(5×6)SON-8,适合对导通损耗和开关损耗均有严格要求的开关电源和功率管理场景。

二、主要参数

  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 连续漏极电流(Id):60A(Ta 条件下)
  • 导通电阻(RDS(on)):4.8 mΩ @ VGS=4.5V, ID=10A
  • 阈值电压(VGS(th)):1.4V
  • 总栅极电荷(Qg):13 nC @ 4.5V
  • 输入电容(Ciss):2.31 nF
  • 输出电容(Coss):270 pF
  • 反向传输电容(Crss):102 pF @ 15V
  • 功耗(Pd):53 W(Tc),在器件铁基/散热良好时可达此值;Ta 条件下热限制更严格(封装散热约 3 W);
  • 工作温度:-55℃ ~ +150℃
  • 封装:SON-8 (5×6) VSONP

三、关键性能与优势

  • 低导通阻抗:4.8 mΩ 在 4.5V 驱动下可显著降低导通损耗,适合 12V/24V 给电系统中的低压侧或同步整流场合。
  • 适中门极电荷:13 nC 的 Qg 在驱动功耗和开关速度之间取得平衡,适用于 4.5V 驱动的高频开关拓扑,减小驱动器负担。
  • 开关寄生容抗:Coss=270 pF 与 Crss=102 pF 的组合,有利于降低开关过渡期能量吸收,减少换向损耗,但需关注 Miller 影响以避免振铃或误触发。
  • 高功率能力:在良好散热条件(Tc)下 Pd 可达 53 W,适合高功率密度设计与紧凑封装应用。

四、典型应用场景

  • 同步降压转换器(buck)高侧/低侧开关
  • 车载电子与 12V/24V 电源管理
  • 电源分配开关与负载开关
  • 电机驱动的前端开关与保护电路

五、设计与热管理建议

  • 采用充足的散热铜箔与过孔连接底部裸露散热焊盘,尽量把热量传导到多层 PCB 的内层或散热板。
  • 驱动电压建议使用 4.5V~10V,根据导通损耗与开关损耗权衡选择;若需高速切换,可增加门极阻尼以抑制振铃。
  • 对于高频应用,关注 Ciss/Crss 所带来的电荷回收与 Miller 效应,必要时并联 RC 吸收或 TVS 做浪涌保护。
  • 布局上保持漏、源走线短且粗,降低寄生电感,避免过大电压尖峰。

六、选型注意事项

  • VGS(th)=1.4V 为阈值电压,仅指导通起始电压,不能作为实际导通驱动电压的依据;若需最低导通损耗,应保证门极至少驱动至 4.5V 以上。
  • 在系统热约束严格时以 Tc 下的 Pd 和实际 PCB 散热能力为准,Ta 标称电流 60A 受限于环境温升。
  • 若工作电压或浪涌超出 30V,应选用更高 Vdss 的器件或增加浪涌抑制元件。

总结:CSD17577Q5A 以其低 RDS(on)、适中 Qg 和紧凑 VSONP 封装,适合高密度、要求低损耗与良好热管理的电源与电源分配设计。