型号:

TLV9052IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
TLV9052IDR 产品实物图片
TLV9052IDR 一小时发货
描述:运算放大器 15V/us 双路 2pA 5MHz
库存数量
库存:
2460
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.13
2500+
1.07
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)6V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)5MHz
输入失调电压(Vos)330uV
输入失调电压温漂(Vos TC)500nV/℃
压摆率(SR)15V/us
输入偏置电流(Ib)2pA
输入失调电流(Ios)1pA
噪声密度(eN)15nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)96dB
静态电流(Iq)330uA
输出电流50mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源1.8V~6V

TLV9052IDR 产品概述

一、概述

TLV9052IDR 是德州仪器(TI)推出的一款双路运算放大器,针对低功耗与精密信号处理场景设计。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出,工作在宽电源电压范围(单电源 1.8V~6V,最大电源差 6V),在低电流消耗与良好瞬态性能之间取得平衡,适合便携式与工业级模拟前端应用。

二、主要特点

  • 放大器数:双路
  • 轨到轨输入/输出(Rail-to-Rail I/O)
  • 增益带宽积(GBP):5 MHz
  • 压摆率(SR):15 V/µs
  • 输入失调电压(Vos):330 µV,温漂 500 nV/℃
  • 输入偏置电流(Ib):2 pA,输入失调电流(Ios):1 pA
  • 噪声密度:15 nV/√Hz @1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):96 dB
  • 静态电流(Iq):330 µA(典型)
  • 输出电流:50 mA(峰值能力)
  • 工作温度范围:-40℃ ~ +125℃
  • 封装:SOIC-8

三、典型应用

  • 传感器信号调理(热电偶、热阻、电流检测等)
  • 便携式仪表与电池供电系统
  • 有源滤波器与放大电路(低噪声通带放大)
  • 数据采集前端、精密比较与缓冲驱动
  • 需要低输入偏流与高共模抑制的应用场合

四、设计与使用要点

  • 电源去耦:在器件电源引脚近旁放置 0.1 µF 陶瓷电容并并联较大电解/钽电容,防止高速瞬变与振荡。
  • 稳定性与容性负载:对大容性负载可能需要串联小电阻隔离输出,以保证相位裕度和防止振荡。
  • 差分与共模范围:虽然为轨到轨输入/输出,但在接近电源轨时增益与线性会受限,建议在设计中预留一定余量。
  • 热与功耗:50 mA 为器件输出能力峰值,长时间工作在大电流状态应注意热升,遵循封装功耗规范及PCB散热设计。
  • 精度维护:利用低漂与低偏流优势进行高阻源径路连接,布局时注意将高阻信号走线缩短并隔离噪声源。

五、封装与选型建议

TLV9052IDR 提供 SOIC-8 封装,便于通用PCB布局与批量生产。选型时若需更低功耗或更高带宽,可对比同系列或其他 TI 产品线,关注失调、偏置电流与输出驱动能力是否满足系统要求。

六、小结

TLV9052IDR 将低输入偏流、低噪声与中等带宽(5 MHz)与较快压摆率(15 V/µs)结合,适合精密低功耗模拟前端与便携/工业应用。合理的布局、去耦与负载管理可发挥其在精度与稳定性上的优势。