CD4011BM/TR 产品概述

一、简介

CD4011BM/TR 是 HGSEMI（华冠）推出的 4000 系列 CMOS 器件，内部包含 4 个独立的两输入与非门（quad 2-input NAND）。器件适用于低功耗、宽电源电压范围的数字逻辑电路，常用于通用逻辑组合、门阵列和接口电路。封装为 SOIC-14，/TR 表示卷带包装（tape & reel），适合量产贴片使用。

二、主要特性

• 逻辑类型：与非门（NAND），每通道为 2 输入，器件共 4 通道。
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃（工业级）。
• 典型静态低功耗，适应宽电源范围（典型 3 V ~ 15 V CMOS 供电）。
• 封装：SOIC-14（便于表面贴装），/TR 表示卷带包装。
• 品牌：HGSEMI（华冠），型号：CD4011BM/TR。

三、电气参数（典型值，基于不同 VCC）

• VCC 工作范围：建议 3 V ～ 15 V（请参考器件规格书以确定极限值）。
• 输入高电平 (VIH)：3.5 V（VCC=5V）；7 V（VCC=10V）；11 V（VCC=15V）。
• 输入低电平 (VIL)：1.5 V（VCC=5V）；3 V（VCC=10V）；4 V（VCC=15V）。
• 输出高电平 (VOH)：4.95 V（VCC=5V）；9.95 V（VCC=10V）；14.95 V（VCC=15V）。
• 输出低电平 (VOL)：典型 50 mV（在规定负载下）。
  注：上述为典型/典型条件值，实际设计时请以厂家正式数据手册为准，并考虑负载电流及温度影响。

四、典型应用

• 通用逻辑构建（门电路、组合逻辑）。
• 接口与电平转换（在相容电压范围内）。
• 可配置逻辑与实验验证电路、原型开发板。
• 驱动小信号负载、与其他 CMOS 器件配合使用的控制电路。

五、设计与使用注意事项

• 采用电源旁路电容（0.1 μF 陶瓷）靠近 VCC-GND，以抑制瞬态和干扰。
• 未使用的输入脚应明确接到高或低电平，避免浮空导致功耗升高或误动作。
• 输出驱动能力有限，避免直接驱动大电流负载；如需驱动继电器或大电流器件应加缓冲/驱动器。
• 在不同 VCC 下输入阈值成比例变化，设计时注意与前后级电平兼容性。
• 考虑静电保护（ESD），在装配与测试过程中采取防静电措施。

六、封装与订购建议

• 标准封装：SOIC-14，方便 SMT 生产线贴装。
• 订购型号示例：CD4011BM/TR（华冠，卷带包装），适合批量生产采购。
• 如需其他包装或温度等级，请与供应商确认具体型号后再行采购。

总结：CD4011BM/TR 以其四路两输入与非门结构、宽电源范围和工业级温度适应性，适合中低速数字逻辑与通用控制电路。设计时注意电源去耦、输入定义及输出驱动限制，以保证可靠性与长期稳定工作。