LM324M/TR 产品概述 — HGSEMI（华冠）

一 产品简介

LM324M/TR 是华冠电子（HGSEMI）推出的一款低功耗、四通道通用运算放大器，封装为 SOP-14，适合对成本和电源范围有要求的线性信号处理场合。器件在宽电源电压和宽温度范围下保持稳定性能，适合工业级和民用级模拟前端设计。

二 主要性能参数

• 通道数：4 路运算放大器（四路）
• 供电范围：单电源可达 VDD–VSS = 30V；双电源工作区间 VEEVCC 为 ±1.5V±16V（等效范围）
• 静态电流：整芯片 Iq 约 600 µA（典型）；文档中部分测试条件下亦列有 375 µA 的典型参考值
• 压摆率（SR）：0.4 V/µs（= 400 V/ms）
• 带宽：增益带宽积约 1.3 MHz
• 共模抑制比（CMRR）：80 dB
• 输入失调电压（Vos）：典型 2 mV，温漂 Vos TC ≈ 7 µV/°C
• 输入偏置电流（Ib）：典型 20 nA；输入失调电流（Ios）约 50 nA，Ios 温漂约 10 pA/°C
• 输出驱动能力：典型输出电流 35 mA
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 封装：SOP-14（标准贴片封装）

三 典型应用场景

• 工业传感信号放大和滤波
• 仪表放大器的前端缓冲与级间放大
• 低速 ADC 驱动与模拟开关控制
• 低功耗差分放大和通用运放替代方案

四 设计与使用建议

• 电源去耦：在电源引脚附近放置 0.1 µF 陶瓷并联 10 µF 电解电容，以抑制供电噪声与瞬态。
• 高阻抗源：输入偏置电流及失调随温度变化，连接高阻抗传感器时建议并联偏置电阻或采用输入偏置补偿电路以降低漂移影响。
• 输出负载：为保证稳定性与驱动能力，驱动较大的容性负载时建议在输出端串联小电阻，避免振荡。
• 温度管理：在高温或高精度应用中注意 Vos TC 和 Ios TC 的影响，必要时使用失调调节或校准。

五 小结

LM324M/TR（HGSEMI）以其宽电源范围、四通道集成、低功耗和良好的共模抑制性能，适合各种通用模拟电路设计。设计时注意电源去耦、输入偏置与温漂补偿，可以发挥其在成本敏感与工业环境下的可靠性与稳定性。若需更详细的电气特性和典型应用电路，建议参考器件完整数据手册。