NTTFS5116PLTAG 产品概述

一、概述

NTTFS5116PLTAG 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款 P 沟道场效应管（MOSFET），为单片 P 沟道器件，额定漏源电压 60V，连续漏极电流约 5.7A。器件采用紧凑的 WDFN-8 (3.3 × 3.3 mm) 封装，适合对体积和热性能有一定要求的高侧开关与电源路径管理应用。

二、主要参数

• 漏源耐压 (Vdss)：60 V
• 连续漏极电流 (Id)：5.7 A
• 导通电阻 (RDS(on))：52 mΩ（测试条件：驱动电压 10 V、Id≈6 A）
• 耗散功率 (Pd)：3.2 W（在典型散热条件下）；在短脉冲或良好散热情况下，允许更高的瞬态功率（参考厂商手册，示例值可达 ~40 W）
• 阈值电压 (Vgs(th))：约 3 V（参考触发导通的典型值）
• 栅极电荷量 (Qg)：25 nC（Vgs = 10 V）
• 输入电容 (Ciss)：≈1.258 nF（Vds/测量电压 30 V）
• 工作结温 (Tj)：-55 ℃ 至 +175 ℃（器件结温额定范围）
• 封装：WDFN-8 (3.3 × 3.3 mm)
• 品牌：ON / 安森美

三、主要特性与优势

• 低导通电阻：典型的 52 mΩ RDS(on) 可在较高电流下减小导通损耗，适用于要求较低压降的高侧开关。
• 合理的栅极电荷与输入电容：25 nC 的栅极电荷与 ~1.26 nF 的 Ciss 在驱动能耗与开关速度之间取得平衡，便于被常见驱动器或 MCU 驱动（需注意 P 沟道的驱动电平极性）。
• 宽温范围与紧凑封装：-55 ℃ 到 +175 ℃ 的结温额定和 WDFN-8 小型封装，使其适合空间受限且需耐高温的应用场景。
• 品牌与可靠性：安森美作为大厂，器件可靠性和可追溯性较好，便于生产和长期供应。

四、典型应用场景

• 高侧电源开关、负载断开与电源路径管理（Battery protection / power distribution）。
• 电池供电设备与便携式设备的电源开关。
• 需要 P 沟道实现高侧控制的功率管理电路。
• 工业电子与宽温环境下的功率控制模块（在满足热设计要求下）。

五、设计与使用建议

• 驱动注意事项：作为 P 沟道 MOSFET，开通时需将栅极相对于源极施加适当的负偏压（|Vgs|），注意驱动电平与系统电源范围匹配；RDS(on) 标称在 10 V 驱动条件下给出，较小驱动电压会提高导通电阻。
• 热设计与布局：WDFN 封装需通过铜厚铺铜、热过孔与短回流路径来增强散热；在连续大电流工作时建议做器件热耗散与结温计算并留有裕量。
• 开关损耗与钳位：Qg 与 Ciss 决定了驱动器功耗与开关速度；在快速切换或高频应用中应评估开关损耗并加装必要的缓冲或 RC 限流网络以控制电压尖峰。
• 保护措施：建议配合适当的短路保护、过温保护和器件热关断策略，保证长期稳定工作。

六、封装与采购要点

• 封装为 WDFN-8 (3.3 × 3.3 mm)，便于表面贴装与高密度 PCB 布局；采购时注意核对完整料号（NTTFS5116PLTAG）及批次信息。
• 在最终设计中应参考并遵循厂家完整的数据手册（Electrical Characteristics、SOA、热阻与封装图），以确保在目标工况下的安全裕度与长期可靠性。

以上为 NTTFS5116PLTAG 的产品概述。若需我整理关键引脚说明、热阻/封装引脚图或与常见替代型号的对比表，可进一步提供具体需求，我将继续补充。