SGM8552XS8G/TR 产品概述

一、主要特性

SGM8552XS8G/TR 是圣邦微（SGMICRO）推出的低噪声、低漂移、轨到轨输入/输出的双通道精密运算放大器。器件具有极低的输入失调电压（Vos 4 μV）、超高共模抑制比（CMRR 105 dB）和优良的噪声性能（eN 47.5 nV/√Hz @1 kHz），支持单电源2.5 V～5.5 V工作并能承受最大电源差5.5 V。封装为SOIC-8，工作温度范围-40℃～+125℃，适合工业级和高精度测量应用。

二、主要规格（概要）

• 通道数：双路放大器
• 轨到轨：轨到轨输入与输出，最大化信号摆幅
• 输入失调电压：4 μV（典型）
• 输入失调电压温漂：20 nV/℃
• 输入偏置/失调电流：Ib 10 pA，Ios 5 pA（典型）
• 共模抑制比（CMRR）：105 dB
• 噪声密度：47.5 nV/√Hz @1 kHz
• 增益带宽积（GBP）：1.53 MHz
• 压摆率（SR）：0.9 V/μs
• 静态电流（Iq）：1.76 mA（双通道典型）
• 输出驱动能力：48 mA
• 电源范围：单电源 2.5 V～5.5 V（最大差 5.5 V）
• 工作温度：-40℃～+125℃
• 封装：SOIC-8

三、典型应用场景

SGM8552XS8G/TR 以其低噪声、低漂移和高CMRR的特点，适合以下应用：

• 传感器前端与桥式测量（应变计、热电偶、压力传感器）
• 精密数据采集与放大（ADC 驱动）
• 医疗测量仪器与生物电信号放大
• 电池供电便携设备与仪表（低电压供电兼容）
• 差分信号放大、滤波器与精密放大量程控制

四、设计与使用建议

• 低噪声与低偏置电流对布局要求高：将输入引脚走线尽量缩短，使用地平面并在关键节点采用屏蔽或守护环路以减少泄漏与噪声耦合。
• 电源去耦：在VDD与VSS近端并联0.1 μF 与 1 μF 陶瓷电容以抑制高频纹波和瞬态。
• 带宽与增益匹配：GBP 1.53 MHz 和 SR 0.9 V/μs 适合低频高精度场合；在高闭环增益下带宽会相应降低（例如在增益10时闭环带宽约150 kHz）。避免在需要高速输出瞬变的场合超出器件SR，防止失真或振荡。
• 驱动能力：48 mA 输出电流能驱动中等负载，但对大电容负载要加串联电阻或缓冲以保证稳定性。
• 温漂与校准：对于极低漂移应用，仍建议配合软件或硬件校准以补偿长期和温度引起的偏移变化。

五、封装与订购信息

型号：SGM8552XS8G/TR
品牌：SGMICRO（圣邦微）
封装：SOIC-8
该型号为工业级温度等级并提供卷带盘装（选型时请参考具体数据手册获取引脚排列、最大额定值和典型电气特性曲线）。

总结：SGM8552XS8G/TR 将超低失调、低噪声与轨到轨特性结合于低功耗双通道运放中，是对精密、低频测量系统和高阻抗传感器前端的理想选择。在实际电路中注意良好布局与电源去耦，即可发挥其高精度性能。