型号:

LM293M/TR

品牌:HGSEMI(华冠)
封装:SOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
LM293M/TR 产品实物图片
LM293M/TR 一小时发货
描述:比较器
库存数量
库存:
3108
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.251
2500+
0.22
产品参数
属性参数值
比较器数双路
输入失调电压(Vos)1mV
输入偏置电流(Ib)65nA
传播延迟(tpd)1.4us
输出类型开漏
输出模式DTL;TTL;CMOS
静态电流(Iq)800uA
工作温度-20℃~+85℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
单电源2V~32V
双电源(Vee ~ Vcc)±16V
输入失调电流(Ios)5nA

LM293M/TR 产品概述

一、产品简介

LM293M/TR 是华冠(HGSEMI)提供的一款双路比较器,封装为 SOP-8,适用于多种低功耗、宽电源电压范围的模拟比较场合。器件采用开漏输出结构,输出可与 DTL、TTL、CMOS 逻辑电平兼容,通过外部上拉电阻与所需逻辑电源相连,实现各种数字接口。其小偏置电流与低失调电压适合对精度有一定要求的比较应用。

二、主要特性

  • 双路比较器,实现两路独立比较功能。
  • 输入失调电压 (Vos):典型 1 mV,提高比较精度。
  • 输入偏置电流 (Ib):65 nA,输入漏电小,有利于高阻抗传感器接口。
  • 输入失调电流 (Ios):5 nA。
  • 传播延迟 (tpd):约 1.4 μs,适合中速响应场合。
  • 输出类型:开漏(open-drain),需要外部上拉电阻。
  • 输出兼容:DTL、TTL、CMOS 逻辑电平。
  • 静态电流 (Iq):约 800 μA(器件静态功耗低)。
  • 工作温度范围:-20℃ ~ +85℃。
  • 电源范围:单电源 2 V ~ 32 V;双电源 ±16 V;最大电源差 VDD–VSS = 36 V。
  • 封装:SOP-8,适合表面贴装工艺与批量生产。

三、电气参数要点

  • 精度:1 mV 的输入失调电压使器件在许多检测和门限电路中能提供较稳定的触发点。
  • 漏电与偏置:输入偏置电流与失调电流较小,可直接连接到高阻抗传感器或分压网络,减小偏差。
  • 响应速度:1.4 μs 的传播延迟适合计时宽松、采样较低的控制与测量系统。
  • 功耗与电源:静态电流 800 μA,适合电池供电或低功耗系统;支持宽幅电源使其可在多种电源方案下工作。

四、引脚与封装

  • 标准 SOP-8 封装,便于在常见 PCB 工艺中使用与焊接。
  • 输出为开漏结构(开集电极/开漏),输出端必须通过上拉电阻连接到所需的逻辑电平电源以产生有效输出电平。上拉电阻值与上拉电压将影响开关速度与功耗,应根据系统速率与输入阻抗优化选择。

五、典型应用场景

  • 模拟阈值检测、窗口比较与零点检测。
  • 传感器信号放大后的门限触发(温度、光、压力等)。
  • 电平转换与逻辑接口(通过上拉实现与不同电源逻辑兼容)。
  • 过压/欠压检测、欠压锁定(UVLO)参考电路。
  • 简单的振荡器或脉宽检测电路(配合外部滞回或 RC 网络)。

六、设计注意事项

  • 输出为开漏,不能主动拉高,必须接上拉电阻;高速应用可降低上拉电阻值但会增加功耗。
  • 工作电源与输入电压范围须保证输入脚电位不超过 VDD–VSS 的最大差值(36 V)及器件额定电源范围。
  • 若系统要求更高的开关速度或更低的失调,应在电路中考虑外部偏置、滞回或置零电路来改善性能。
  • 在高噪声环境中建议加上去耦电容与合理的 PCB 布局,以保证比较器稳定触发。

七、包装与选型信息

  • 厂商:HGSEMI(华冠)。型号:LM293M/TR。
  • 封装:SOP-8,适用于自动贴片生产与回流焊。
  • 建议在选型时根据工作温度与响应需求确认器件版本与批次,如有更严格温度或精度要求,请与供应商确认对应的规格表与典型曲线。

如需具体的电路原理图、上拉电阻选型建议或配套参考电路图,可提供使用环境与目标规格,我将根据应用场景给出更细化的设计建议。