型号:

SLF12565T-101M1R6-PF

品牌:TDK
封装:SMD,12.5x12.5mm
批次:25+
包装:编带
重量:0.000011
其他:
SLF12565T-101M1R6-PF 产品实物图片
SLF12565T-101M1R6-PF 一小时发货
描述:100µH-屏蔽-绕线-电感器-1.9A-148-毫欧最大-非标准
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商品单价
梯度内地(含税)
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1.11
500+
1.03
产品参数
属性参数值
电感值100uH
精度±20%
饱和电流(Isat)1.6A
直流电阻(DCR)148mΩ

SLF12565T-101M1R6-PF 产品概述

一、规格概览

SLF12565T-101M1R6-PF 为 TDK 生产的屏蔽绕线贴片电感(SMD)。其主要电气与机械参数如下:

  • 电感值:100 µH(标称)
  • 精度:±20%
  • 饱和电流(Isat):1.6 A(磁芯开始明显退磁/电感值下降的参考值)
  • 直流电阻(DCR):最大 148 mΩ(0.148 Ω)
  • 封装:SMD,外形尺寸 12.5 × 12.5 mm
  • 结构:屏蔽式绕线电感,适用于需要较好磁屏蔽和较高电流承载的应用场景

二、性能特点

  • 屏蔽结构:有效抑制磁辐射,降低对周围电路的干扰,便于在密集布局中使用。
  • 绕线工艺:绕线型电感具有较好的功率处理能力和温升特性,适合开关电源与滤波电路。
  • 中等电感量与较高电阻:100 µH 属于中高量级电感,配合 DCR 148 mΩ 在中等电流下会产生一定的 I^2R 损耗,需要在热设计中考虑。
  • 容差较大(±20%):在需要精密电感值的应用中需留足裕量;常用于滤波、去耦、储能或共模/差模滤波等对数值容差要求不严格的场合。

三、功率损耗与电流限制(工程计算示例)

设计时需关注 DCR 导致的铜损与电感在直流偏置下的电感下降:

  • 铜损 P = I_rms^2 × DCR。例如:
    • I = 1.0 A 时,P = 1^2 × 0.148 = 0.148 W
    • I = 1.6 A 时,P = 1.6^2 × 0.148 ≈ 0.379 W
  • 由于 Isat = 1.6 A 表示电感在该直流偏置下将出现明显下降,建议连续工作电流留有裕量(通常取 60%–80% 的 Isat 作为持续工作参考,视散热条件而定)。例如若要求长期稳定工作,优先考虑持续电流 ≤ 1.0–1.2 A。

四、典型应用场景与设计要点

适用场合:

  • 开关电源(DC-DC 降压/升压)中的储能/滤波电感
  • 功率滤波与输入滤波(LLC、buck、boost 等)
  • EMI 滤波网络与电源去耦
  • LED 驱动与电池供电系统的噪声抑制

设计建议:

  • 布局:将电感与相关电容(输入/输出滤波电容)尽量靠近,缩短信号回路,减小环路面积以降低辐射与寄生电感带来的影响。
  • 热设计:考虑 PCB 散热片、铜箔面积和过孔来提升散热能力;若电感附近还有热源,应评估局部温升对电感特性(DCR 随温度升高)与寿命的影响。
  • 工作电流裕量:为避免电感值下降影响电路性能,留有适当的电流裕量,不建议长时间在 Isat 附近工作。
  • 滤波配合:在开关电源中,与适当的电容配合使用时,注意滤波器谐振频率与负载条件,防止出现过大的纹波或振荡。

五、封装、焊接与可靠性注意

  • 封装为 SMD,尺寸 12.5 × 12.5 mm,适合自动贴装与回流焊流程。建议遵循元器件厂商或通用无铅回流曲线(JEDEC 标准)进行焊接,避免超温或超时。
  • 机械可靠性:在高振动或反复热循环环境中,需保证焊盘设计与粘着工艺良好;在大电流应用下注意焊点和 PCB 铜箔的热膨胀与疲劳。
  • 储存与处理:避免潮湿、高温环境长期存放;贴片后应尽快进行回流,减少潮气吸收导致的焊接问题。

六、选型建议与替代考虑

  • 若设计要求更低的 DCR 或更高的连续电流承载,应选择标称 DCR 更低、Isat 更高的电感类型或更大尺寸器件;若要求更精确的电感值则考虑铁氧体无绕组的高稳定器件或多匝精密绕线件。
  • 需要更小体积则考虑更低电感值或采用更高电流规格的小型化器件;反之若系统允许尺寸增加,可以选更大尺寸以换取更低 DCR 与更高电流能力。

结语:SLF12565T-101M1R6-PF 是一款面向中等电流、需要屏蔽与稳定滤波性能的绕线 SMD 电感。在使用时应重点关注 DCR 引起的损耗与直流偏置下的电感下降,合理布板与热管理可显著提升系统的可靠性与效率。若需要更详细的 L-I 曲线、温升测试数据或推荐 PCB 布局图,请依据 TDK 的产品手册或向供应商索取完整数据资料。