WL2836D28-4/TR 产品概述

WL2836D28-4/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款低压差线性稳压器（CMOS LDO），为对低噪声、高PSRR 和快速瞬态响应有严格要求的便携和工业应用提供稳定的 2.8V 正向输出。本器件为固定输出类型，单通道封装，集成过流保护与过热保护，适合电池供电与低压数字系统的局部稳压。

一、主要性能亮点

• 输出电压：固定 2.8V（正极输出）
• 最大输出电流：300 mA
• 静态电流（Iq）：典型 50 μA，适合低功耗系统
• 压差（Dropout）：140 mV @ 300 mA，低压差设计有利于低电压差应用
• 电源纹波抑制比（PSRR）：78 dB @ 1 kHz，优秀的纹波抑制与低噪声特性
• 工作电压（Vcc 最大）：5.5 V
• 工作温度范围：-40℃ ~ +85℃（Ta）
• 输出通道数：1；封装：DFN1x1-4L
• 保护功能：过流保护（OCP）、过热保护（OTP）

二、电气与热特性概述

WL2836D28-4/TR 在高负载下仍保持低压差与良好稳压精度，300 mA 输出能力覆盖多数传感器、MCU 外设和模拟前端供电要求。静态电流仅 50 μA，有利于待机与功耗敏感应用。内建过流与过热保护提高系统可靠性。小型 DFN1×1-4L 封装需注意热阻，实际热性能受 PCB 铜箔面积与散热设计影响。

三、典型应用场景

• 移动/便携设备的子供电（传感器、射频前端等）
• 工业控制与自动化模块的局部稳压
• 电池供电系统、IoT 节点、可穿戴设备
• 对噪声与电源纹波敏感的模拟电路和 ADC 供电

四、PCB 布局与应用建议

• 输入/输出电容靠近引脚放置以保证稳定性与瞬态响应，建议采用低 ESR 陶瓷电容（常见范围 1 μF~10 μF，依具体系统验证）。
• 增大地平面与芯片下方铜箔面积以改善热量散发。DFN1×1-4L 小封装对热路径依赖 PCB，必要时在散热栈中增加过孔连接多层铜箔。
• 输入电源线与输出线保持短且宽，减少寄生阻抗；敏感模拟地与功率地分区管理，最终在器件附近汇流到公共地平面。

五、封装与订购信息

• 型号：WL2836D28-4/TR
• 品牌：WILLSEMI（韦尔）
• 封装：DFN1x1-4L（小尺寸、适合高密度布局）
  有关更多器件参数（例如精确稳压精度、启用/关闭控制脚、典型外部元件值、测试条件下的电流/噪声曲线等），请参阅官方数据手册或联系 WILLSEMI 技术支持获取完整规格书与参考设计。

若需，我可以根据你的电路供电条件（输入电压、负载变化、外部电容规格）给出更具体的外部元件选择与 PCB 布局示例。