HG25Q80M/TR 产品概述

一、产品简介

HG25Q80M/TR 是华冠（HGSEMI）推出的一款 8Mbit SPI NOR Flash，封装为 SOP-8，面向嵌入式系统的代码和数据存储需求。器件工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，支持高达 108MHz 的时钟频率，兼顾高速访问与低功耗待机，适合对启动时间和运行响应有较高要求的应用场景。

二、主要规格与性能

• 存储容量：8 Mbit（1 MByte）
• 接口类型：SPI（串行外设接口），支持常见的读写与擦除操作模式
• 最大时钟频率（fc）：108 MHz，满足快速读操作需求
• 工作电压：2.7V ~ 3.6V
• 待机电流：约 5 µA，利于低功耗系统设计
• 页写入时间（Tpp）：典型 700 µs
• 块擦除时间（tBE）：典型 200 ms（以 64 KB 块为准）
• 擦写寿命：约 100,000 次（典型值）
• 数据保持（TDR）：约 20 年
• 封装：SOP-8，便于 DIP/SMD 混合生产线使用

三、可靠性与寿命

HG25Q80M/TR 提供行业常见的高擦写寿命（10^5 次）与长期数据保持能力（约 20 年），适合需要长期部署与可靠启动代码保存的产品。编程与擦除操作建议遵循厂商规定的电压与时序，配合磨损均衡与写入次数管理，可进一步延长系统寿命。

四、主要特性与使用建议

• 高速读取：108 MHz 时钟支持较短的启动时间与快速程序读取，提升系统响应。
• 低功耗待机：5 µA 待机电流利于电池供电或休眠频繁的设备。
• 擦写管理：页写与块擦除时间分别为 700 µs 与 200 ms，批量更新建议以块为单位合并操作以提高效率。
• 接口兼容性：采用标准 SPI 操作序列（读、快读、页写、块擦除、读/写状态等），便于固件移植与驱动实现。
• 电源与时钟：上电/掉电时注意保持稳定电源并遵守时序规范，推荐在 VCC 旁并联 0.1 µF 陶瓷旁路电容以抑制瞬态噪声。
• 可靠设计：在关键数据写入时建议增加重试与校验机制（CRC/校验和），并做好异常恢复路径（如双备份镜像）。

五、典型应用场景

适用于嵌入式主控存储固件的执行/存放、消费类电子设备固件更新、物联网终端配置数据保存、工业控制器固件、存储少量日志或参数的系统等场景，尤其适合对成本、封装密度与可靠性有综合要求的产品。

六、封装与 PCB 注意事项

SOP-8 小封装便于通用贴片生产与手工焊接，布局时建议预留合适的接地平面与走线短路径，避免长 SPI 总线走线导致信号完整性问题；在高速模式下，若总线长度较长应考虑上拉/下拉阻值匹配与终端策略，确保信号可靠。

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