BZB84-B12,215 产品概述

一、产品简介

BZB84-B12,215 是 Nexperia（安世）出品的齐纳二极管阵列，封装为 SOT-23（TO-236AB），内部为一对共阳极（common anode）齐纳二极管，标称稳压值 12V，稳压精度 ±2%，单管额定耗散功率 300mW。该器件适用于小尺寸电源基准、过压钳位与信号保护等场景，兼具高集成度与良好热性能。

二、关键参数说明

• 标称稳压值 Vz：12V，±2% 表示实际稳压通常在 11.76V 到 12.24V 之间。
• 反向漏电流 Ir：100 nA @ 8V，表明在低偏流条件下漏耗很小，适合对静态电流敏感的电路。
• 稳压阻抗 Zzt：25 Ω，代表在测试电流范围内的动态内阻，影响电压随电流变化的幅度（例如电流变化 1 mA 时电压近似变化 25 mV）。
• 耗散功率 Pd：300 mW（标称），决定最大允许稳态电流大小；需按温度及 PCB 散热条件做降额。
• 封装：SOT-23（TO-236AB），小尺寸、适合表面贴装组装。

三、性能特点

• 精度高：±2% 的公差使其可作为参考或精密钳位元件。
• 低漏流：100 nA 等级的反向电流，有利于减少静态功耗与漂移。
• 低阻抗：25 Ω 的 Zzt 在中等偏流范围内提供较稳定的稳压特性。
• 双路集成：一对共阳极的阵列设计，便于两路对称钳位或双轨设计，节省 PCB 空间与器件数。

四、典型应用

• 小功率稳压与基准（参考电压源、偏置网络）。
• 输入或接口的过压钳位与浪涌保护（限幅器、信号线保护）。
• 多路电源管理中两路对称保护或分压前的预稳压。
• 低功耗传感与测量电路的保护与偏置场景。

五、使用建议与计算示例

• 选取偏置电阻时，应使稳压二极管在合适的工作电流 Iz 下工作，同时确保 Pd 不被超越。若按 Pd=300 mW 与 Vz=12V 计算，理论最大稳态电流约 Iz_max ≈ 25 mA（Iz_max = Pd / Vz），但实际应留裕量并考虑封装热阻与环境温度。
• 例如：若输入 15V，目标在 12V 钳位且设计 Iz = 5 mA，则串联电阻 R = (15−12)/5mA = 600 Ω；二极管耗散功率约 12V×5mA = 60 mW，远低于 Pd，但仍需考虑瞬态与功率浪涌。
• 热管理：SOT-23 封装对 PCB 铜箔面积依赖较大，应在器件底部和周围增加散热铜箔并参考厂商 RθJA 曲线做温度降额。

六、封装与装配注意

• SOT-23 为常见小型表贴封装，兼容标准回流焊流程。布局时应留意极性标记与共阳极引脚排列，避免误连。
• 对静电敏感元件，应在装配和存储过程中采取防静电措施。

七、选型提示与替代考虑

• 若需更低动态阻抗或更高功率，考虑更大功率封装或专用低阻抗齐纳。
• 对更高精度要求，可选择更严格公差（如 ±1%）或参考稳压基准芯片。

总结：BZB84-B12,215 以其 12V ±2% 的精度、低漏电与双路共阳极集成优势，适合对体积、精度与低功耗有要求的小功率稳压与保护应用。具体电流、温升与布板建议请以 Nexperia 官方数据手册为准并结合实际 PCB 散热条件进行验证。