PMV52ENEAR 产品概述

一、概述

PMV52ENEAR 是 Nexperia（安世）推出的一款小封装、高性价比的 N 沟道功率 MOSFET，额定耐压 30V，适合空间受限的便携与工业电子设计。器件采用 SOT-23 封装，单只器件即可承担中等功率开关与负载驱动任务，在电源管理、负载开关及点对点功率转换等场景具有良好应用价值。

二、主要电气指标

• 漏源电压 Vdss：30V
• 连续漏极电流 Id：3.2A
• 导通电阻 RDS(on)：52 mΩ @ Vgs = 10V（Id = 3.2A）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 1.5V（典型）
• 总栅极电荷 Qg：3.3 nC @ Vgs = 10V
• 输入电容 Ciss：100 pF @ 15V
• 反向传输电容 Crss：19 pF @ 15V
• 耗散功率 Pd：标称 630 mW（请以数据手册为准）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +175 ℃

注：所列为用户提供的器件参数汇总，设计时建议参考 Nexperia 官方数据手册以获得完整的温度依赖与封装热特性曲线。

三、典型应用场景

• 便携式设备电源开关与分路控制
• 低压直流-直流转换器（同步整流或开关元件）
• LED 驱动与保护电路
• 电池管理与负载断开方案
• 工业控制中的小功率继电/固态替代

四、性能特点与设计意义

• 低导通电阻（52 mΩ@10V）在较高导通电流下能有效降低导通损耗，适合需要较高效率的应用。
• 较小的总栅极电荷（3.3 nC）与适中的输入电容（100 pF）使其在中等开关频率下易于驱动，驱动功率需求低，适合受限驱动能力的微控制器或驱动器。
• 阈值电压约 1.5V，器件在较低栅压下即可起始导通，但要获得低 RDS(on) 需达到更高栅压（如 10V）。设计时应关注实际工作栅压对导通损耗的影响。
• 宽温度范围（最高可达 175 ℃）适合工业级温度要求，但高温下 RDS(on) 会上升，应在热设计中预留裕量。

五、封装与热管理建议

• SOT-23 小封装便于空间受限设计，但散热能力有限。标称耗散功率 630 mW（静态条件），高功率或连续大电流应用需通过 PCB 铜箔面积、热 vias 以及散热布局来降低结壳温度。
• 推荐在 PCB 布局中增大源/漏焊盘铜面积，并尽量缩短与电流回路相关的走线来降低寄生电阻与发热。若系统存在脉冲导通场景，可利用脉冲功率特性，但应参考数据手册中的脉冲温升曲线。

六、设计与选型注意事项

• 如果电路中栅极驱动电压只能达到逻辑电平（如 3.3V 或 5V），应验证在该栅压下的 RDS(on) 与导通能力，或考虑使用专用逻辑级 MOSFET。
• 在布局时将 Gate 与驱动源走线最小化，栅极加阻尼电阻（如 10–100 Ω）可抑制寄生振荡并限制开关峰值电流。
• 对于频繁开关且对效率敏感的应用，需平衡 Qg 与导通损耗，评估器件在目标频率下的总损耗。

七、总结

PMV52ENEAR 是一款面向中等电流、低压场合的通用型 N 沟道 MOSFET，结合 SOT-23 小封装、较低的导通电阻与较小的栅极电荷，适合便携电源管理、负载开关与小功率开关电源等应用。设计时请重视热管理与实际栅压下的导通特性，并以 Nexperia 官方数据手册作为最终设计依据。