型号:

BCX52-16TF

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-89-3
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
BCX52-16TF 产品实物图片
BCX52-16TF 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 60V 1A PNP
库存数量
库存:
209
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.363
4000+
0.339
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)60V
耗散功率(Pd)1.1W
直流电流增益(hFE)100@150mA,2V
特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃

BCX52-16TF 产品概述

BCX52-16TF 是安世(Nexperia)推出的一款小封装 PNP 功率晶体管,采用 SOT-89-3 封装,面向中小功率开关与线性放大应用。器件在设计上兼顾较高电压承受能力与良好的直流增益,适合在空间受限、需较高电压裕量的电路中作为高端开关或驱动元件使用。

一、主要性能与参数概览

  • 晶体管类型:PNP(双极结晶体管,BJT)。
  • 最大集电极电流 Ic:1 A(瞬态或短时条件下可达到,持续工作需注意散热)。
  • 集—射击穿电压 Vceo:60 V,适合中高电压电源系统。
  • 耗散功率 Pd(封装热限制):标称 1.1 W(SOT-89,实际耗散受 PCB 铜箔和环境影响;裸板或无额外散热时建议按 ~0.5 W 级别设计以保证可靠性)。
  • 直流电流增益 hFE:约 100(测试条件 Ic=150 mA, VCE=2 V);低电流和饱和区增益会下降。
  • 特征频率 fT:140 MHz,具备良好的频率响应,可用于中频放大场合。
  • 集电极截止电流 Icbo:≈100 nA(体现器件在高压下低漏电性能)。
  • 集—射饱和电压 VCE(sat):典型约 500 mV(在较大饱和电流时会更高)。
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃。
  • 封装:SOT-89-3(小型散热良好、便于表贴组装)。
  • 品牌:Nexperia(安世)。

二、器件特点与优势

  • 中高压耐受(Vceo 60 V),可用在 24V / 48V 类电源前端或保护电路。
  • 较高直流增益(在中等 Ic 下 hFE ≈100),在驱动放大或作为电流源/镜像时能减小基极驱动需求。
  • fT 达 140 MHz,使得在需要一定带宽的模拟电路中仍能保持性能。
  • SOT-89 封装在保持紧凑尺寸的同时提供比 SOT-23 更好的散热能力,适合中功率密度设计。

三、典型应用场景

  • 电源管理:作为高侧开关、反向保护或并联稳压元件。
  • 音频与信号放大:前级驱动或小功率放大器的 PNP 补偿元件。
  • 驱动电路:驱动小继电器、指示灯或作为功率放大级的一部分。
  • 工业控制与通信设备:在中频段的开关与放大场合使用。

四、使用建议与设计注意事项

  • 饱和驱动:规格给出的 hFE 在线性区较高,但在饱和开关时有效增益会大幅下降。若需要将 Ic 推近 1 A,应给予足够基极电流(常用强制β取 10~20)以保证低 VCE(sat)。例如欲在饱和下驱动 500 mA,基极电流建议在 25~50 mA 级别(视具体电路而定)。
  • 散热与功耗:SOT-89 的 Pd 受 PCB 面积和铜箔厚度影响显著。若长期工作在数百毫安以上,建议增加底板铜箔或采用热垫连接以确保器件结温不超标。
  • 保护与可靠性:在高电压环境需考虑限流、软起动与瞬态抑制,防止因浪涌电流或反向电压导致击穿或过热。
  • ESD 与焊接:遵循安世推荐的 SMD 焊接曲线进行回流,避免过高焊接温度和长时间热暴露。

五、典型电路参考

  • 高端开关:PNP 发射接电源正,集电极接负载。基极通过限流电阻拉到地(或低电位)以导通,拉高至接近电源时关断。
  • 放大器输出级:与对应 NPN 配对组成互补推挽级,提供小功率音频或信号驱动。

总结:BCX52-16TF 以其 60V 电压耐受、1 A 峰值电流能力和高 hFE 特性,结合 SOT-89 小型封装,是在中高电压、小到中等功率应用中常用的 PNP 器件。选择与设计时,应结合实际工作点与 PCB 散热条件,合理配置基极驱动和热管理,以发挥器件最佳性能并保证长期可靠性。