74LVC1G10GM,115 产品概述

一、关键特性

74LVC1G10GM,115 是安世（Nexperia）推出的单通道三输入与非门（1 路 3 输入 NAND），属于 74LVC 系列。器件工作电压范围宽（1.65V 至 5.5V），静态工作电流极小（Iq ≈ 4 μA），输出驱动能力强（IOH / IOL 可达 32 mA），适合要求低功耗且需一定驱动能力的现代数字电路。封装为 XSON-6（1.0 × 1.5 mm），适用于空间受限的便携和板级集成应用。

二、典型电气参数

• 逻辑类型：与非门（NAND），单通道，输入数目：3
• 工作电压：1.65 V ~ 5.5 V（兼容 1.8V、3.3V、5V 系统）
• 静态电流 (Iq)：约 4 μA（典型）
• 输出驱动：IOL = 32 mA，IOH = 32 mA（典型/最大级别驱动能力，实际取决于 VCC 与负载）
• 输入阈值：VIH 大约 2.0 V（在较低电压工况下可见 1.7 V）；VIL 大约 0.8 V（部分条件 0.7 V）
• 输出电平：VOH 在 5.0 V 供电时可达到约 3.4 V；在低压工况下 VOH 可为约 2.0 V；VOL 典型可达 0.8 V（视负载变化）
• 传播延迟 (tpd)：约 4.4 ns（VCC = 5.0 V，CL = 50 pF）
• 工作温度：-40 ℃ 至 +125 ℃

（备注：输入/输出阈值与电平随 VCC 和负载条件变化，设计时请参考完整数据手册以取得器件在目标工况下的准确信息。）

三、封装与可靠性

XSON-6（1 × 1.5 mm）超小型无引脚封装，适合高密度贴装场合。封装优点包括占板面积小、寄生电感、寄生电容较低以及适合自动贴装。工作温度范围延展至 +125 ℃，满足工业级温度要求，但如用于汽车关键应用请确认相关资格与认证。

四、应用建议与布板要点

• 电源去耦：建议在 VCC 旁近距离放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容，抑制快速切换电流尖峰。
• 接地与跟踪：XSON 封装对焊盘布局敏感，保持良好接地并遵循制造商建议的焊盘/焊膏模式以保证可焊性与热散。
• 终端与驱动：当驱动大电流负载（接 LED、继电器驱动前端或长线）时，注意输出功耗与热升，必要时加外部缓冲或限流元件。
• ESD 与信号完整性：输入端建议避免浮空，使用上/下拉或确保有确定的输入电平以防误触发；高速切换时注意串扰，合理布线间距与接地层规划。

五、典型应用场景

• 电平兼容逻辑接口：在多电压系统间实现逻辑运算与电平转换（需注意阈值与容限）。
• 地址译码、片选与控制逻辑：可用作小面积、高速的逻辑门阵列替代，节省 PCB 面积。
• 低功耗便携设备与传感器前端：得益于极低的静态电流，适合电池供电系统。
• 板级集成、空间受限的消费电子与工业设备。

六、总结

74LVC1G10GM,115 将宽输入电压范围、低静态功耗与较强的输出驱动能力集成在超小 XSON-6 封装内，适合空间受限且对速度与功耗有要求的设计。设计时应根据目标工作电压和负载条件参考完整数据手册，做好电源去耦和走线布局，以发挥器件最佳性能。若需更详细的电气曲线、静态/动态参数和封装焊盘信息，请参阅 Nexperia 官方数据手册。