BAS116LSYL 产品概述

一、简介

BAS116LSYL 是 Nexperia（安世）生产的一款肖特基势垒二极管，面向空间受限的表贴应用。该器件以低正向压降与极小的反向漏电流为主要优势，适合对效率和静态功耗有严格要求的小电流整流与保护场合。封装为 SOD-882，适合移动终端、传感器模块和各类消费电子的小功率电源路径保护。

二、主要参数（典型/额定）

• 正向压降 Vf：1.25 V @ If = 150 mA（典型测量点）
• 直流反向耐压 Vr（阻断电压）：85 V
• 直流整流电流 If(AV)：325 mA（连续）
• 反向漏电流 Ir：5 nA @ Vr = 75 V（低漏电）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：4 A（单次脉冲短时浪涌能力）

三、产品特性与优势

• 低正向压降：在 150 mA 工作点上 Vf 约 1.25 V，有助于降低整流和保护路径的功耗，提升系统效率。
• 低反向漏电：在高达 75 V 时仅数纳安漏电，适合高电压阻断同时要求低静态电流的场合（例如电池保护与测量电路）。
• 宽阻断电压：85 V 的 Vr 允许在较高母线电压环境中可靠工作。
• 小型 SMD 封装：SOD-882 占板面积小，利于高密度 PCB 布局与自动贴装。

四、典型应用场景

• 电池反接保护与电源路径选择（power-path）
• 小功率开关电源（辅助整流）与二次整流
• 接口保护与电平钳位
• 便携设备、电表、传感器等对静态功耗敏感的电子产品

五、设计与使用建议

• 虽然器件支持 325 mA 连续整流，但在 PCB 设计时应考虑温升与散热路径，必要时进行电流热降额。
• 浪涌能力为 4 A 单脉冲，应避免频繁大幅浪涌，设计中应评估瞬态活动（如电容充放电）是否超出规格。
• SOD-882 封装体积较小，回流焊温度曲线、焊盘设计与焊膏量会影响焊接可靠性，建议遵循 Nexperia 的装配/回流推荐。
• 器件极性、封装朝向请以官方 Datasheet 为准，布局时标注清晰以免贴装错误。

六、替代与选型提示

如需更高电流或更低 Vf，可考虑更大功率的肖特基型号；若工作电压低于本件要求，可挑选 Vf 更低或封装更小的型号。选型时权衡正向压降、漏电、封装与浪涌能力，优先参考官方 Datasheet 的曲线和热模型进行仿真验证。

备注：本文为基于器件关键参数的技术概述，详细的绝对最大额定值、典型特性曲线、封装尺寸及回流焊工艺请参考 Nexperia 官方 Datasheet 与产品说明书。