BZX585-B20,115 产品概述

一、产品简介

BZX585-B20,115 是 Nexperia（安世）生产的一款小型独立式稳压二极管（齐纳二极管），采用 SOD-523 (SC-79) 封装，设计用于低功耗、小体积的电路中提供稳定的参考或过压钳位功能。该器件标称稳压值为 20V，实际出厂范围为 19.6V ～ 20.4V，适合对电压精度要求不是很苛刻但需要体积和成本优势的应用场景。

二、主要参数与含义

• 稳压值（标称）：20V
• 稳压值范围：19.6V ～ 20.4V（±2% 左右）——反映生产公差，设计时应纳入容差考虑。
• 最大耗散功率 Pd：300 mW（在规定环境与散热条件下）——决定了允许流过齐纳二极管的最大稳压电流。
• 阻抗 Zzt：15 Ω —— 表示在规定测试条件下的动态阻抗，影响稳压输出随电流变化的稳定性。ΔV ≈ Zzt × ΔI。
• 反向电流 Ir：50 nA @ 700 mV —— 低电压下的反向漏电流指标，表明在极小偏压时泄漏电流很小，有利于低电流条件下的电压稳定性。
• 二极管配置：独立式（单颗器件）
• 封装：SOD-523 (SC-79)，适合高密度 SMT 布局与空间受限设计。
• 品牌：Nexperia（安世）

三、功率与电流计算（设计要点）

在实际电路中常需根据 Pd 限制计算最大允许稳压电流 Iz(max)：
Iz(max) = Pd / Vz = 0.300 W / 20 V = 15 mA

因此在任何工作条件下，应保证通过稳压二极管的电流不超过约 15 mA（并建议留有安全裕度）。实际电路通常通过串联限流电阻 R 来设定工作电流： R = (Vin - Vz) / Iz 同时需检查限流电阻的功耗 Pr = (Vin - Vz) × Iz，选择合适功率等级。

示例（便于理解）：

• 若 Vin = 30 V，期望 Iz = 10 mA，则 R = (30 − 20) / 10 mA = 1 kΩ，R 上功耗 Pr = 10 mA × 10 V = 100 mW。

四、动态特性与稳压精度考虑

动态阻抗 Zzt = 15 Ω 表示在稳压工作区内电压随电流变化的灵敏度较大。例如电流变化 1 mA 时，稳压电压将变化约 15 mV。因此：

• 若需更稳定的参考，应在高于测试电流且稳定的偏流下工作，或采用低阻抗、更高精度的参考源。
• 对噪声敏感的应用建议在齐纳两端并联适当的旁路电容以滤除高频噪声；但要注意大电容会在瞬态时导致更大的充放电电流，应综合评估。

五、封装与热管理

SOD-523 是非常小的表贴封装，优点是节省 PCB 面积，但热阻较大，依赖 PCB 铜箔散热：

• 在设计 PCB 时应为该封装提供较大的接地或散热铜地，必要时在焊盘下和附近增加铜面积与散热孔/热通孔，以降低结温。
• 在高环境温度或连续较大电流工作时，必须对 Pd 限制进行降额处理，保证器件长期可靠运行。

六、典型应用

• 低功耗偏置稳压与基准（适用于精度要求不高且成本敏感的场合）；
• 信号线/小功率电路的过压钳位和浪涌保护；
• 测试与测量电路中的参考点或保护元件；
• 便携设备、小型传感器和电池供电系统的局部稳压。

七、设计与注意事项

• 不推荐将该器件作为高精度基准源使用，因为稳压容差与较高的动态阻抗会影响精度。
• 在低电流工作状态下（接近 μA 级），应注意漏电流与温度漂移对稳压电压的影响。
• SOD-523 体积小，手工焊接和回流工艺需控制温度曲线，防止过热损伤器件。
• 考虑 ESD 和储存条件，按常规半导体元件管理，避免潮湿和静电损伤。

八、小结

BZX585-B20,115 提供了一个体积小、成本低、适用于低功耗电路的 20V 稳压选项。其 300 mW 的耗散功率和 15 Ω 的动态阻抗决定了它更适合于小电流的稳压、钳位和保护场合。在 PCB 布局时需重视散热设计并通过合适的串联限流来保证器件在安全工作区内。对于需要更高精度或更大功率的应用，建议选用低阻抗或更大功率等级的稳压器/基准源。