74AUP2G17GW,125 产品概述

一、产品简介

74AUP2G17GW,125 是安世（Nexperia）基于 74AUP 系列工艺的双通道非反相施密特触发缓冲器（Schmitt Trigger Buffer），以超低功耗 CMOS 实现。器件工作电压范围宽（0.8V ～ 3.6V），单片包含 2 个通道，封装为小型 TSSOP-6（1.3mm）。适合对噪声抑制、慢上升/下降沿整形以及低电压系统接口的场合。

二、主要性能指标

• 输入类型：施密特触发器（Schmitt trigger），提高输入噪声容限与信号完整性。
• 工作电压：0.8V ～ 3.6V，适配 1.2V/1.8V/3.3V 等多种电源轨。
• 驱动能力：拉电流 IOH = 4 mA，灌电流 IOL = 4 mA（小功率驱动）。
• 静态电流 Iq：典型 0.9 µA，适合电池供电或待机功耗敏感设计。
• 传播延迟 tpd：4.8 ns（在 3.0V、CL=30 pF 条件下），响应快且确定性良好。
• 工作温度：-40 ℃ ～ +125 ℃，满足工业级温度要求。

三、优势与典型应用

• 噪声抑制与抗抖动：施密特输入对慢边沿和毛刺有良好整形能力，适用于机械开关消抖、传感器信号整形。
• 低电压兼容：0.8V 起动能力便于在现代低压 SoC 或混合电压系统中做缓冲/接口。
• 超低静态功耗：适合电池供电设备、便携终端与节能系统。
• 典型应用包括信号缓冲、逻辑门驱动、小电流指示灯/LED 驱动（需限流）、时钟、复位和中断线整形等。

四、封装与电气注意事项

• 封装为 TSSOP-6（1.3 mm），节省 PCB 面积，适合密集布局；封装无大面积散热垫，需按封装规范处理焊盘。
• 由于 IO 驱动能力为 4 mA，若需驱动大电流负载，应选用专用驱动器或缓冲级。
• 传播延迟与负载电容相关，数据手册给出的 tpd 为在 30 pF 条件下测得，实际应用需根据 PCB 布线与负载重新评估。

五、设计与布局建议

• 在 VCC 引脚附近放置 0.1 µF 陶瓷去耦电容，贴近芯片引脚以抑制瞬态电流和改善信号完整性。
• 输入端对高速或长线信号考虑加 RC 滤波或串联阻抗，以避免反射与振铃。
• 保持敏感信号线短且远离噪声源，地线回流路径应尽量短直。

六、选型提示

型号后缀（如 “,125”）通常为供应商封装/温度或包装代码，请以安世官方数据手册与订货信息为准。若需要更高驱动能力、更大工作电流或不同封装，参照 74AUP 系列其它型号或咨询供应商技术支持。