型号:

BC847-QR

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:袋装
重量:-
其他:
BC847-QR 产品实物图片
BC847-QR 一小时发货
描述:TRANS PREBIAS
库存数量
库存:
19
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.078
3000+
0.0619
产品参数
属性参数值
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)250mW
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))200mV@100mA,5mA
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN
配置独立式

BC847-QR 产品概述

一、器件简介

BC847-QR 是 Nexperia(安世)生产的一款小信号 NPN 晶体管,采用 SOT-23 小封装,属于独立式(单管)器件,适合低功耗开关与小信号放大应用。器件常见标识为 “TRANS PREBIAS”,可用于对功耗与体积有较高要求的便携或板载电路中。

二、主要电气参数

  • 型号:BC847-QR(NPN,独立式,数量:1)
  • 封装:SOT-23
  • 集电极截止电流 Icbo:15 nA(小漏电流,适合高阻抗电路)
  • 集电极电流 Ic(最大额定):100 mA(短时或受限条件下使用)
  • 集电极-发射极击穿电压 Vceo:45 V(适用于一般低压到中等电压应用)
  • 发射极-基极击穿电压 Vebo:6 V(输入侧电压限制)
  • 典型特征频率 fT:100 MHz(良好的高频性能,适合宽带小信号放大)
  • 功耗耗散 Pd:250 mW(SOT-23 热限制,需注意散热与工作环境温度)
  • 集-射饱和电压 VCE(sat):约 200 mV(在 Ic = 100 mA、Ib = 5 mA 条件下,低饱和电压利于开关效率提升)

三、关键特性与优势

  • 低漏电:Icbo 仅 15 nA,适合传感器输入、偏置网络等对静态电流敏感的场合。
  • 适中电流能力:可承受 100 mA 集电极电流,满足多数逻辑驱动与小型负载驱动需求。
  • 低饱和压降:VCE(sat) ≈ 200 mV(100 mA 条件下)有利于降低开关损耗和电压降。
  • 中高频响应:fT ≈ 100 MHz,适合视频带宽、无线前端或高速开关应用。
  • 紧凑封装:SOT-23 占板面积小,利于高密度 PCB 设计。

四、典型应用场景

  • 开关驱动:用于驱动低电流继电器、小型继电器或 LED 阵列的低功耗开关。
  • 小信号放大:音频前端、传感器放大、模拟信号处理中的一级放大器或增益阶段。
  • 逻辑接口:作为电平移位、缓冲或反相器件,连接微控制器与外围器件。
  • 高频小功率电路:射频前端的低噪声放大或混频器前置放大(在频率许可范围内)。
  • 预偏置/参考电路:适用于需要稳定偏置电流与低漏电的偏置网络。

五、使用建议与注意事项

  • 热管理:器件 Pd 为 250 mW,长期高电流工作需评估 PCB 热阻并确保环境温度与通风条件满足要求;必要时使用散热铜箔扩散热量。
  • 基极限流:开关时建议通过基极串联电阻限制基极电流,避免过驱动或损坏(尤其在高频开关场合)。
  • 击穿保护:避免基极对发射极电压超过 Vebo(6 V)以及集-发电极超过 Vceo(45 V),必要时加防护器件(如限压二极管)。
  • ESD 与焊接:SOT-23 器件对静电敏感,储运和焊接过程中请遵循 ESD 防护规范,并参考厂商回流焊温度曲线。
  • 引脚定义:不同厂商封装引脚排列可能有差异,请在设计中以 Nexperia 官方数据手册为准校验引脚排列与焊盘尺寸。

六、选型与替代考虑

选择 BC847-QR 时应基于所需的最大集电极电流、功耗、频率响应与封装尺寸。如果电流或功耗要求更高,可考虑功率更大的封装;若低电压饱和更关键,可比较其他低 VCE(sat) 的开关型晶体管。始终建议参考 Nexperia 的完整数据手册以确认极限参数、典型特性曲线与封装资料。

总结:BC847-QR 在 SOT-23 小封装中实现了低漏电、较高频率响应与适度的开关能力,是通用型、空间受限电路中常用的 NPN 小信号晶体管。设计时需关注功耗与热管理,并严格按照数据手册的额定条件使用。