型号:

PBSS4540X,135

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-89
批次:24+
包装:-
重量:1g
其他:
PBSS4540X,135 产品实物图片
PBSS4540X,135 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.6W 40V 4A NPN
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.808
4000+
0.75
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)4A
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)1.4W
直流电流增益(hFE)300@0.5A,2V
特征频率(fT)70MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))290mV
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

PBSS4540X,135产品概述

一、产品简介

PBSS4540X,135 为 Nexperia(安世)出品的一款小功率高速 NPN 双极型晶体管,采用 SOT-89 封装,面向开关与小功率线性放大场合。器件额定集电极电流 Ic 可达 4A,集射极击穿电压 Vceo 为 40V,最大耗散功率 Pd 1.4W,适用于中低压大电流的驱动与功率管理电路。

二、主要参数要点

  • 晶体管类型:NPN(BJT)
  • 最大集电极电流 Ic:4A
  • 集射极击穿电压 Vceo:40V
  • 最大耗散功率 Pd:1.4W(受封装与散热条件限制,请参照厂商额定条件)
  • 直流电流增益 hFE:300(测量点 0.5A、Vce=2V)
  • 特征频率 fT:70MHz,适合高速开关与驱动应用
  • 集电极截止电流 Icbo:100nA(小电流漏泄特性良好)
  • 饱和电压 VCE(sat):约 290mV(测试条件请参照数据手册)
  • 工作温度范围:-65℃ ~ +150℃
  • 发射-基击穿电压 Vebo:6V
  • 封装:SOT-89,表面贴装,体积小巧但散热需注意

三、性能特点与优势

  • 高增益:在 0.5A 工作点下 hFE 高达 300,有利于减少基极驱动电流,适合弱驱动源控制。
  • 低饱和压:VCE(sat) 约 290mV,开关损耗较低,有利于提升效率。
  • 高频特性良好:fT=70MHz,可用于快速开关与小信号放大。
  • 宽工作温度范围和低漏电流,适应恶劣环境与低静态功耗场景。

四、典型应用场景

  • 低压电源开关与线性稳压器输出级
  • 小型电机或继电器驱动(注意散热及脉冲/连续电流限制)
  • DC-DC 转换器初级/次级驱动、功率管理芯片的外部开关元件
  • 音频前置放大或小功率功放级(需注意线性失真与热设计)

五、封装与散热考量

SOT-89 封装体积小、适合表面贴装,但热阻相对较高。器件 Pd 为 1.4W,实际允许的持续集电极电流在很大程度上取决于 PCB 铜箔面积和散热条件。设计时建议:

  • 在晶体管底部和引脚周围保留较大铜箔,以提高散热能力;
  • 在连续大电流工况下进行热仿真或实测,必要时采取散热片或增加铜厚;
  • 参考厂商数据手册中的结温-功率降额曲线,避免长期接近极限值。

六、选型与使用建议

  • 驱动要求:线性工作时 Ib ≈ Ic / hFE(例如在 0.5A、hFE≈300 时,Ib ≈ 1.7mA);开关饱和时需外加较大基流以保证低 VCE(sat),常用经验值为强制β(Ic/Ib)约 10–20,但在 4A 大电流情况下基极电流也会相应增大,应权衡驱动能力与发热。
  • 验证条件:VCE(sat) 与 hFE 随电流、温度变化显著,设计前务必参照完整数据手册并在目标工作点进行测试。
  • 管脚与布局:SOT-89 常见排列为 B、C、E,但不同厂商封装细节可能不同,请以官方封装与 PCB 尺寸图为准。

七、结论

PBSS4540X,135 以其高增益、低饱和压与良好的频率特性,在中低压高电流的驱动与功率管理应用中具有竞争力。由于 SOT-89 的散热限制,设计时应重视 PCB 散热优化与工作点选定,以确保长期可靠工作。对于需要在紧凑空间实现高效开关或驱动功能的方案,PBSS4540X,135 是值得优先考虑的器件之一。