PESD2ETH1GXT-QR 产品概述

一、简介

PESD2ETH1GXT-QR 是 Nexperia（安世）推出的一款双路、双向瞬态电压抑制器，封装为 TO-236AB（SOT-23）。该器件专为高速差分信号线（如以太网）提供静电放电（ESD）和脉冲浪涌保护，同时兼顾对信号完整性的最小影响。

二、核心参数

• 极性：双向
• 反向截止电压 Vrwm：24 V
• 峰值脉冲电流 Ipp：2.3 A（8/20 µs）
• 反向漏电流 Ir：1 nA
• 结电容 Cj：1.1 pF（典型值）
• 通道数：双路（适合差分对）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 抗扰度要求
• 封装：TO-236AB（SOT-23）
• 类型：ESD 保护器

三、主要特性与优势

• 极低结电容（1.1 pF），对高速信号的影响极小，适用于千兆以太网等对带宽敏感的接口。
• 双向结构可在正负极性静电事件下工作，无需额外偏置。
• 低漏电流（1 nA）保证在高阻测量或低功耗系统中不会引入额外损耗。
• 封装小巧、占板面积小，便于在受限空间内保护多个信号线。
• 满足 IEC 61000-4-2 测试要求，提供可靠的静电放电防护能力。

四、典型应用场景

• 千兆以太网（差分对）端口保护，保证链路稳定性与长期可靠性。
• 各类需要低电容保护的高速数据接口（差分信号线、信号端口）。
• 需要在24 V 工作电压以内的通信接口与工业信号线防护（注意 PoE 等高电压场景需选型确认）。

五、PCB 布局与使用建议

• 将器件尽量靠近受保护的连接器或接口放置，输入端到保护器的走线应尽量短且直。
• 为降低接地回路电感，应使用短而宽的接地回路并靠近保护器设置接地过孔。
• 对于长期承受较大脉冲的场合，建议配合合适的串联阻抗或共模电感以分担能量。
• 在使用前核对系统工作电压与 Vrwm（24 V）匹配，避免在超过额定工作电压的应用中直接使用。

六、总结

PESD2ETH1GXT-QR 以其低电容、低漏电、双路双向保护与小型封装，适合对信号完整性要求高的以太网和高速差分接口保护需求，是在受限空间内实现可靠 ESD 防护的理想选择。