描述：[20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor, 20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.; PNP complement: 2PB1424.]
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)180@100mA,2V
特征频率(fT)220MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@2A,100mA
常见问题
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