型号:

BC847BW,135

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-323
批次:25+
包装:-
重量:1g
其他:
BC847BW,135 产品实物图片
BC847BW,135 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 45V 100mA NPN
库存数量
库存:
214
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0742
10000+
0.0608
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)110@2mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)5uA
集射极饱和电压(VCE(sat))200mV
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

BC847BW,135 产品概述

一、产品简介

BC847BW,135 是 Nexperia(安世)出品的一款小功率 NPN 双极结晶体管,采用 SOT-323 超小封装,面向空间受限的便携与消费类电子设计。该器件具有 45V 的集电极-发射极击穿电压和最高 100mA 的集电极电流能力,单颗耗散功率 200mW,适合用作小信号放大与开关控制元件。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:NPN(单颗)
  • 直流电流增益 hFE:110(在 Ic=2mA、VCE=5V 条件下)
  • 特征频率 fT:100MHz,适合中高频小信号放大
  • 最大集电极电流 Ic:100mA
  • 集电极-发射极击穿电压 VCEo:45V
  • 射极-基极击穿电压 Vebo:6V
  • 集电极截止电流 Icbo:5μA(低漏电流有利于高阻输入电路)
  • 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat):典型 200mV(在特定驱动条件下)
  • 最大耗散功率 Pd:200mW
  • 工作温度范围:-65℃ ~ +150℃

三、性能与特性

  • 高 hFE(约 110)保证在小电流工作点下具有良好的增益表现,有利于低功耗放大电路设计。
  • fT=100MHz 使其在 VHF 范围内仍具备可用增益,适合高速信号的前置放大或缓冲。
  • 低 Icbo(5μA)降低了静态漏电,适用于待机或高阻抗输入场合。
  • 45V 的耐压与 200mW 的耗散能力在 SOT-323 这样的小封装中兼顾了击穿裕度与功耗限制,适合轻载开关与驱动应用。

四、典型应用场景

  • 便携设备中的小信号放大与缓冲(语音前端、传感器接口)
  • 逻辑电平驱动与小功率开关
  • 高频小信号放大器、振荡器前端
  • 通用的模拟开关、驱动及电平转换电路
  • 空间受限 PCB 布局中的替代方案

五、封装与热特性

  • 封装:SOT-323(极小型表贴),节省 PCB 面积,适合自动贴装与回流焊工艺
  • 热管理:200mW 的耗散限制需结合 PCB 散热设计,宜采用较大铜箔与短走线来提高功率承载能力
  • 适用回流:兼容无铅回流焊(建议按制造商提供的温度曲线执行)

六、使用建议与注意事项

  • 避免反向基极-发射极超过 Vebo(6V),以防损伤器件。
  • 在靠近额定功耗工作时,请评估周围温度与 PCB 的热阻,确保结温不超过允许范围。
  • 对于要求更低 VCE(sat) 或更高功率的场合,应选择更高功耗封装或并联设计,并注意电流分配。
  • 在高速或高频应用中,注意寄生电容与走线布局对增益与相位的影响。

七、订购与认证

  • 品牌:Nexperia(安世)
  • 数量:单颗(1 个 NPN)
  • 在工程选型与生产前,建议参考 Nexperia 官方数据手册以获取完整的测试条件、典型曲线与封装尺寸图,并确认是否满足特定行业认证(如需 AEC-Q 等级请向厂商咨询)。