型号:

BC847BPN,125

品牌:Nexperia(安世)
封装:TSSOP-6
批次:25+
包装:编带
重量:1g
其他:
BC847BPN,125 产品实物图片
BC847BPN,125 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN+PNP
库存数量
库存:
8
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.141
3000+
0.125
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE)200@2mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

BC847BPN,125 产品概述

一、产品简介

BC847BPN,125 是 Nexperia(安世)推出的双通道互补三极管器件,内含 NPN 与 PNP 两个小信号双极型晶体管,采用 TSSOP-6 封装。器件面向通用小信号放大与开关应用,集成度高、占板面积小,适合空间受限的便携式及工业电子产品。

二、主要性能参数

  • 直流电流增益 hFE:200(测试条件 2 mA,VCE=5 V)
  • 特征频率 fT:100 MHz,适合高频小信号放大
  • 集电极电流 Ic:最大 100 mA(短时或受热限制)
  • 集电极-射极击穿电压 VCEo:45 V
  • 集电极截止电流 Icbo:15 nA(低漏电流)
  • 射基极击穿电压 VEbo:5 V
  • 集-射饱和电压 VCE(sat):约 100 mV(低饱和)
  • 最大耗散功率 Pd:约 250 mW(封装和环境依赖)
  • 工作温度范围:-65 ℃ 至 +150 ℃

三、典型特性与优势

  1. 宽电压和电流范围:VCEo 45 V 与 Ic 可达 100 mA,适用于 低压至中等电压系统的信号驱动与小功率放大。
  2. 高 hFE 与低噪声:hFE≈200(在低电流工作点)有利于低失真放大和灵敏电路设计。
  3. 高频性能优良:fT=100 MHz,可用于音频以上频段的缓冲与放大。
  4. 低漏电与低饱和压:Icbo 仅 15 nA,VCE(sat)≈100 mV,有利于降低静态功耗和提高开关效率。
  5. 双晶体管组合封装:NPN+PNP 成对布局,便于构建推挽输出、复合放大及差分结构,简化 PCB 布局。

四、典型应用场景

  • 便携类模拟前端、驱动与缓冲器
  • 小信号放大器、前置放大与音频驱动
  • 推挽输出级、模拟开关与电平转换
  • 工业控制、传感器接口与低功耗开关元件

五、封装与热管理建议

器件采用 TSSOP-6 小型封装,热阻较大,建议在 PCB 设计上增加散热铜箔、短走线并靠近地平面以提升散热能力。工作时注意 Pd 250 mW 为参考额定值,长时间接近最大耗散会受温度限制,应留安全裕量并考虑环境温升。

六、使用与选型建议

在选型时确认电路工作电流与频率范围,若工作电流常态接近 100 mA 或环境温度较高,应评估散热与寿命。对于需要严格匹配增益或低失真输出的应用,建议在典型工作点(如 Ic≈1–10 mA)验证 hFE 与频率响应。Nexperia 品牌供应链稳定,适合量产与长期维修替换。