PMSTA92,115 产品概述

一、概述

PMSTA92 / PMSTA115 为 Nexperia（安世）推出的单只双极型 PNP 晶体管，适用于高压小信号放大与开关场合。器件采用 SOT-323（SC-70）微小封装，承受集电极-发射极击穿电压高达 300 V，集电极电流最大 100 mA，耗散功率 200 mW，兼顾高耐压与小体积设计，适合空间受限且需高压能力的应用。

二、主要电气参数

• 晶体管类型：PNP（双极）
• 集电极电流 Ic：100 mA（最大）
• 集-射击穿电压 Vceo：300 V
• 耗散功率 Pd：200 mW（封装限）
• 直流电流增益 hFE：30（在 Ic=30 mA、VCE=10 V 条件下）
• 特征频率 fT：50 MHz（典型）
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA（典型/最大）
• 集-射饱和电压 VCE(sat)：≈250 mV（饱和条件下典型值）
• 发-基击穿电压 Vebo：5 V（最大）

三、特点与优势

• 高耐压：300 V 的 Vceo 使其能在高压回路和隔离电路中可靠工作。
• 低漏电：Icbo 低至 100 nA，有利于低静态功耗与高阻抗输入电路。
• 中高速特性：50 MHz 的 fT 支持小信号放大与快速开关。
• 紧凑封装：SOT-323（SC-70）适合移动设备及高密度 PCB 布局。

四、典型应用

• 高压小信号放大器与前置放大电路
• 低功耗开关与复位/保护电路
• 电源管理的驱动/检测电路
• 通信设备与工业控制中高压侧信号处理

五、使用建议与注意事项

• 由于封装功耗仅 200 mW，设计时应评估封板散热与环境温度，避免长时间在高 Ic 或高 VCE 条件下工作；
• 注意基极-发射极最高反向电压 Vebo（5 V），避免基极反向过压损伤；
• 在需要更高饱和或更大电流时考虑并联或选用更大封装器件；
• PCB 布局上尽量缩短集/发/基引线长度，增强热散与降低寄生电感以利开关性能。

如需封装引脚排列、推荐焊盘尺寸或详细曲线（温度依赖、S‑O‑A），可提供原厂数据表与参考布局。