74LVC1G38GW,125 产品概述

一、产品简介

74LVC1G38GW,125 是安世（Nexperia）74LVC 系列中的单通道与非门（NAND），采用 TSSOP-5（1.3 mm）小封装，工作电压范围宽（1.65 V ～ 5.5 V），适用于从低压便携设备到 5 V 工业总线的逻辑接口与门控功能。器件属于 LVC CMOS 家族，具有低静态功耗和良好的高速性能，适合用作胶合逻辑、门控抑制、电平兼容等基本逻辑功能模块。

二、主要规格亮点

• 输入通道数：2（2 输入 NAND）
• 通道数：1（单路器件）
• 工作电压：1.65 V ～ 5.5 V，支持单电源多电压平台
• 工作温度范围：-40 ℃ ～ +125 ℃，满足工业级应用
• 静态电流 Iq：典型 4 μA（低静态功耗，适合电池供电系统）
• 灌电流 IOL：24 mA（较强的下拉驱动能力，可直接驱动小负载）
• 传播延迟 tpd：4.9 ns（@ 5.5 V，典型高速响应）
• 输出低电平 VOL：随测试条件与电流不同有所差异（规格表中给出如 100 mV、300 mV、400 mV、450 mV、550 mV 等条件值），应按实际 VCC 与 IOL 条件对照使用

三、典型应用场景

• 胶合逻辑（glue logic）：在 SoC、微控制器与外设之间实现简单逻辑组合与信号整形
• 电平兼容与电平转换辅助：结合上拉/下拉网络实现不同电压域之间的逻辑接口
• 门控与中断合成：对时序敏感但要求低功耗的控制路径非常适用
• 工业控制与汽车电子（温度与电压范围匹配）
• 电池供电设备、便携终端内的低功耗逻辑功能

四、设计与使用注意事项

• VOL 与 IOL 密切相关：器件能提供较大下拉电流（24 mA），但输出低电平电压随灌电流增大而上升。设计时请根据目标负载电流与 VCC 对照器件数据手册的 VOL 曲线，避免因负载过大导致逻辑门阈值判读错误。
• 供电与去耦：虽然静态电流低，但高速切换时会有瞬态电流，建议在器件供电侧靠近 VCC 引脚放置 0.01 μF–0.1 μF 陶瓷去耦电容，抑制供电噪声与上升沿抖动。
• 输入保护与上拉/下拉：LVC 系列对输入 ESD 有保护，但长时间超出工作电压范围或悬空输入可能引起漏电或功耗上升。必要时为输入添加上/下拉电阻或缓冲器。
• 温度/频率折减：高温下器件速度和输出驱动能力会有所下降。对关键时序路径应在最差工况（最高温度、最低 VCC）下进行仿真与验证。
• PCB 布局：TSSOP-5 小封装在布线密集板上便于节省空间，但应注意信号线最小化回路面积并做好地平面，以降低串扰与 EMI。

五、封装与采购信息

• 品牌：Nexperia（安世）
• 封装：TSSOP-5，1.3 mm （节省板面面积）
• 零件命名通常带有批次/包装后缀（如 ,125），下单时请确认完整料号、包装方式（卷带与盘装）及温度等级。建议向供应商索取最新数据手册与可供货信息以确定替代料号或兼容器件。

六、可靠性与环境适应

器件支持工业级温度并经过标准温度循环与可靠性测试，适合在严苛环境中长期可靠运行。对于汽车或特殊环境（更高应力或更严格认证要求），请核实是否满足 AEC-Q100 等级或询问厂方替代品。

总结：74LVC1G38GW 为一款单通道、2 输入的低压高速 NAND 门，兼顾低静态功耗与较强驱动能力，适合多种通用与工业级逻辑应用。设计时重点关注输出低电平随负载变化的特性、合适的去耦与 PCB 布局，以及在最差工况下的时序验证，以确保系统稳定可靠。