TLV431AIDR 产品概述

一 功能与定位

TLV431AIDR 是德州仪器（TI）推出的一款可调精密并联（分流）电压基准芯片。它在低功耗条件下提供稳定的参考电压，可在 1.24V 至 6V 范围内任意设定，适用于需要精确基准和简单电压监控的场合，如电源管理、ADC/DAC 参考、比较/阈值检测及小功率电池系统等。

二 主要技术参数

• 输出类型：可调（并联/分流型）
• 输出电压范围：1.24V ~ 6.00V
• 输出电流（最大可承受分流电流）：15 mA
• 精度：±1%（典型工况）
• 电压基准类型：并联（shunt）
• 静态电流（Iq）：约 80 µA
• 最小阴极（分流）电流以维持调节：80 µA
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 封装：SOIC-8（代号 DR）

三 主要应用场景

• 精密参考电压源（ADC/DAC、片上比较器）
• 低功耗电池供电设备的欠压/过压检测与基准
• 线性或开关电源的参考与误差放大器基准
• LED 驱动与恒流源参考
• 各类阈值判定、环路比较与简单精密稳压电路

四 设计要点与使用建议

• 设定电压：通过外接分压网络将 VREF（1.24V）提升至所需输出电压。近似公式为 VOUT ≈ VREF × (1 + R1/R2)，其中 R1 接在输出与 REF 之间，R2 接地。
• 分流电流要求：为了维持稳压，流经器件的最低阴极电流需不低于 80 µA。因此外部分压器的分流电流应大于 80 µA，或在需要时加轻微旁路电流。
• 设计示例（设 VOUT = 3.3V）：取 R2 = 10 kΩ，则 R1 ≈ 10 kΩ × (3.3/1.24 − 1) ≈ 16.6 kΩ；此时分压电流约为 3.3V / 26.6 kΩ ≈ 124 µA，满足最小 80 µA 要求。
• 功率与热设计：作为并联器件，功耗为 P = VKA × IK（VKA 为器件两端电压差，IK 为分流电流）。在高差压与大分流电流下需关注 SOIC-8 封装的功率耗散限制并做好散热。
• 稳定性与旁路电容：在有较大输出电容或长引线时，建议遵循厂商对外部电容与 ESR 的建议（必要时在 REF 与阴极/地之间加小电容以抑制噪声和改善瞬态）。布局上应将 REF 与分压电阻走线尽量短且靠近器件，避免噪声耦合。
• 精度漂移与温度：±1% 为典型精度，请在设计时对温漂、长期漂移与外部元件容差留出裕量，必要时采用温补或更高精度参考器件。

五 优势与注意事项

• 优势：低静态电流（≈80 µA），适合低功耗与电池供电系统；可调电压范围宽（1.24V–6V）；封装 SOIC-8 便于散热与 PCB 布局。
• 注意事项：作为分流型参考，在高压差或高分流电流下会产生较大功耗；需保证最小工作电流以维持稳压；对外部电容与分压网络布局敏感，具体稳定性表现应参照 TI 正式数据手册验证。

六 建议与后续

TLV431AIDR 适合对成本、功耗与可调性有综合要求的精密参考场合。实际设计前请参阅 TI 官方数据手册以获取详细的限制条件、典型电路、温度特性曲线以及封装热阻等完整参数，从而确保在目标工况下的可靠性与长期稳定性。