型号:

CJL8810

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23-6L
批次:25+
包装:-
重量:0.051g
其他:
CJL8810 产品实物图片
CJL8810 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 13.5mΩ@10V 20V 7A 1个N沟道
库存数量
库存:
2569
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.351
3000+
0.31104
产品参数
属性参数值
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)714mW
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)1.15nF
反向传输电容(Crss)145pF
工作温度-55℃~+150℃

CJL8810 产品概述

一、简介

CJL8810 是江苏长电/长晶(CJ)推出的一款面向空间受限电源设计的低压、高速双通道 N 沟道场效应管,封装为 SOT-23-6L。器件每通道额定漏源电压 Vdss = 20V,连续漏极电流 Id = 7A(在适当散热条件下)。典型导通电阻随栅极电压变化:约 13.5mΩ @ Vgs = 10V(低阻态),约 28mΩ @ Vgs = 1.8V(弱驱动下)。器件额定耗散功率约 714mW,阈值电压 Vgs(th) ≈ 1.0V,工作温度范围 -55℃ ~ +150℃。

二、电气性能亮点

  • 低导通电阻:在 Vgs = 10V 时 RDS(on) ≈ 13.5mΩ,适合要求低 conduction loss 的同步整流和高效率开关电源应用。
  • 逻辑电平兼容:Vgs(th) ≈ 1V,Vgs = 1.8V 时仍能导通(RDS(on ≈ 28mΩ)),适用于部分低压门驱动场景,但导通损耗需评估。
  • 低栅极电荷与中等输入电容:Qg ≈ 15nC(@10V),Ciss ≈ 1.15nF,Crss ≈ 145pF,有利于高速开关但需注意开关损耗与驱动能力匹配。
  • 耐温范围广:器件可在 -55℃ 至 +150℃ 环境下工作,适合工业级应用。

三、封装与热管理建议

CJL8810 采用 SOT-23-6L 紧凑封装,适合 PCB 面积有限的移动电源、电源模块和通信设备。由于封装热阻较大,器件的 7A 连续电流能力需要依赖良好 PCB 散热:建议在底层或接地层增加铜箔面积、使用多层板并在封装下方或周围布置大量散热铜、必要时添加过孔导热至内层或底层散热平面。功耗估算需基于实际 RDS(on) 与工作电流(P = I^2·R),并保证结温不到达极限。

四、典型应用场景与使用要点

  • 同步整流器与降压转换器(Buck)功率开关。
  • 电池保护与电源路径切换(load switch)。
  • 小型直流马达驱动与高频开关应用(需注意反向恢复与飞弧保护)。
  • 多通道电源管理和便携设备电源前端。

使用建议:

  1. 若需最低导通损耗,应将栅极驱动提升至 10V;在仅能提供逻辑电平驱动时,应计算导通损耗并评估发热。
  2. 开关时注意栅极驱动能力(Qg ≈ 15nC),选择合适驱动器以降低开关损耗与过冲。
  3. 对感性负载加装 RC 吸收或 TVS 以抑制反向尖峰,避免超出 Vdss。
  4. PCB 布局应缩短电源回流路径、增大散热铜面积并使用足够的过孔以改善热性能。

五、关键参数摘要

  • 器件类型:双 N 沟道 MOSFET(SOT-23-6L)
  • 漏源电压:Vdss = 20V
  • 连续漏极电流:Id = 7A(受散热限制)
  • 导通电阻:RDS(on) ≈ 13.5mΩ @ Vgs=10V;≈28mΩ @ Vgs=1.8V(@7A)
  • 阈值电压:Vgs(th) ≈ 1.0V
  • 总栅极电荷:Qg ≈ 15nC @ 10V
  • 输入/反向传输电容:Ciss ≈ 1.15nF,Crss ≈ 145pF
  • 功率耗散:Pd ≈ 714mW(封装相关)
  • 工作温度:-55℃ ~ +150℃

CJL8810 以其低 RDS(on)、适中栅极电荷和紧凑 SOT-23-6L 封装,适合对效率与空间有双重要求的小功率开关电源和电源管理场合。选型时请结合实际驱动电压与 PCB 散热条件进行热平衡与损耗评估。