LMBT4401WT1G 产品概述

一、产品简介

LMBT4401WT1G 是乐山无线电（LRC）推出的一款小型封装 NPN 三极管，适合高频小信号放大与开关应用。器件主要参数：集电极电流 Ic 最大 600mA、集射极击穿电压 Vceo 40V、特征频率 fT 达 250MHz。封装为 SC-70，体积小、适合表贴，适用于空间受限的消费电子与通讯类电路。

二、主要电气特性（典型/极限）

• 晶体管类型：NPN
• 最大集电极电流（Ic）：600 mA
• 集—射极击穿电压（Vceo）：40 V
• 耗散功率（Pd）：150 mW
• 直流电流增益（hFE）：20（在 Ic=0.1 mA、Vce=1.0 V 条件下）
• 特征频率（fT）：250 MHz（适用于中高频放大）
• 集电极截止电流（Icbo）：100 nA（典型静态漏电小）
• 集—射极饱和电压（VCE(sat)）：750 mV（注：按 500 mA/50 mA 条件给出，详见原厂曲线）
• 射—基击穿电压（Vebo）：6 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 数量：单个器件，封装 SC-70

三、典型应用场景

• 便携式设备中作为高频小信号放大器或前置放大级
• 作为低电压开关驱动小型继电器、LED 或光耦输入（以脉冲或短时大电流为主）
• 高频脉冲电路与信号整形电路（受惠于 250 MHz 的 fT）
• 空间受限的模块式电路和表面贴装设计

四、使用建议与注意事项

• 功率限制：器件 Pd 仅 150 mW，尽管 Ic 可达 600 mA，但不能长时间在高电流下连续工作。建议在高电流场合采用脉冲驱动或外加散热措施，并严格参考原厂温升曲线。
• 饱和电压与驱动：VCE(sat) 在高电流条件下可达约 750 mV，若需更低饱和压应增大基极驱动电流或选用低饱和型器件。
• 高频性能：fT=250 MHz 使其适合中高频放大，但在设计射频或宽带放大器时需关注封装与布局对增益和稳定性的影响，尽量缩短走线并做好阻抗匹配。
• 静态漏电：Icbo 约 100 nA，静态泄漏小，有利于低功耗设计，但在高温下漏电会增加，应进行温度漂移评估。
• 引脚与封装：SC-70 小体积适合密集 PCB 布局。具体引脚排列与焊盘推荐请以厂家数据手册为准，设计 PCB 时预留合适焊盘和散热铜箔。

五、典型电路举例（概念性）

• 共射开关：用于数字信号到负载的接地开关，基极串限流电阻以控制基极电流，注意 Ib 与 Ic 的比值以避免过饱和。
• 共射小信号放大：配合适当偏置电阻和旁路电容，可在几十到数百 MHz 范围内实现增益放大；注意稳定性与偏置热漂移。
• 射极跟随器：用于缓冲高频信号，提供低输出阻抗驱动下一级。

六、器件选择与替代

若应用要求更高的连续耗散或更低的 VCE(sat)，建议选择功率更高的封装或专用低饱和三极管；若仅需低电流开关或极低噪声放大，可选 hFE 更高或噪声系数更优的型号。最终选型请依据工作电流波形、占空比及热管理条件。

如需进一步的引脚定义、最大额定值随温度变化曲线或典型操作波形，请参考 LRC 正式数据手册或联系供应商获取完整资料。