型号:

OPA2990IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
OPA2990IDR 产品实物图片
OPA2990IDR 一小时发货
描述:运算放大器 4.5V/us 双路 10pA 1.1MHz
库存数量
库存:
245
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.17
2500+
2.08
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)40V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1.1MHz
输入失调电压(Vos)300uV
输入失调电压温漂(Vos TC)600nV/℃
压摆率(SR)4.5V/us
输入偏置电流(Ib)10pA
输入失调电流(Ios)5pA
噪声密度(eN)30nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)115dB
静态电流(Iq)120uA
输出电流80mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.7V~40V
双电源(Vee~Vcc)-20V~-1.35V;1.35V~20V

OPA2990IDR 产品概述

一、概述

OPA2990IDR 是德州仪器(TI)推出的一款高性能双路运算放大器,兼具轨到轨输入/输出和低偏置电流、低失调漂移等特点,适用于高精度传感器接口与精密信号调理。该器件支持宽电源电压范围,单电源可达 2.7V 至 40V,或双电源 ±1.35V 至 ±20V(总体最大电源宽度可达 40V),并采用 SOIC-8 封装,便于在常见 PCB 布局中应用。

二、主要参数

  • 放大器数:双路
  • 最大电源宽度(Vdd–Vss):40 V
  • 轨到轨:输入/输出均为轨到轨
  • 增益带宽积(GBP):1.1 MHz
  • 输入失调电压(Vos):300 µV(典型)
  • Vos 温漂:600 nV/°C
  • 压摆率(SR):4.5 V/µs
  • 输入偏置电流(Ib):10 pA
  • 输入失调电流(Ios):5 pA
  • 噪声密度(en):30 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):115 dB
  • 静态电流(Iq):约 120 µA(典型)
  • 输出电流:可达 80 mA
  • 工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  • 封装:SOIC-8
  • 品牌:TI(德州仪器)

三、性能亮点

  • 极低的输入偏置电流与低失调电压漂移,适合高阻抗传感器和积分型电路。
  • 轨到轨输入/输出确保在低供电电压或接近电源轨时仍能获得较大摆幅,利于电池供电和单电源系统。
  • 1.1 MHz 的 GBP 和 4.5 V/µs 的压摆率,为中速信号处理提供良好带宽与动态响应。
  • 低噪声(30 nV/√Hz)使其在低幅度信号放大时仍能保持较高信噪比。
  • 宽温度范围与高 CMRR(115 dB)适合工业级环境与抗共模干扰场景。

四、典型应用

  • 精密传感器接口(压电、电阻式、热电偶等)
  • 数据采集前端与缓冲放大器
  • 医疗诊断设备和生物电测量(需要低漂移、低偏置)
  • 工业过程控制与仪表放大
  • 低功耗便携式仪器与电池供电系统

五、设计建议

  • 电源旁路:在每个电源引脚附近放置 0.1 µF 陶瓷电容与 1 µF 以上的去耦电容以抑制高频噪声与稳压瞬态。
  • 负载与稳定性:针对可能的容性负载,建议在输出与负载间串联小电阻以保证稳定性。
  • 输入保护:在有大电压或快速瞬变的输入环境中,考虑增加限流或钳位电路保护输入级。
  • PCB 布局:对低噪声路径进行短距离走线,模拟地与数字地分离并在单点汇流,减小干扰。

六、封装与选型注意

OPA2990IDR 为 SOIC-8 封装,便于常规焊接与手工开发板使用。选型时应确认工作电源范围与系统要求匹配,并根据负载需求评估输出电流能力与热耗散。对于极低噪声或更高带宽的需求,可比较 TI 系列中其他更专向的放大器型号。

总结:OPA2990IDR 以其低偏置、低漂移、轨到轨性能和适中的带宽/压摆率,为精密测量与通用信号调理提供了均衡且可靠的解决方案,特别适合高阻抗传感器接口和工业/医疗级应用。