型号:

L7805CD2T-HXY

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:TO-263
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
L7805CD2T-HXY 产品实物图片
L7805CD2T-HXY 一小时发货
描述:线性稳压器(LDO) 固定 35V 1A 5V
库存数量
库存:
2031
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:800
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.1
50+
0.846
800+
0.78
产品参数
属性参数值
输出类型固定
工作电压35V
输出电压5V
输出电流1A
电源纹波抑制比(PSRR)73dB@(120Hz)
压差2V@(1A)
静态电流(Iq)5mA
工作温度-25℃~+125℃@(Tj)
输出极性正极
输出通道数1

L7805CD2T-HXY 产品概述

一、产品简介

L7805CD2T-HXY 是华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的一款高压差线性稳压器(LDO),为固定输出型正电压稳压器。该器件在输入电压最高可达 35V 的条件下,提供稳定的 5V 输出,最大输出电流为 1A,适用于对噪声、纹波抑制有较高要求的电源前端与点对点稳压场景。封装为 TO-263(D2PAK),便于表面贴装与大功率散热处理。

二、主要性能参数

  • 输出类型:固定
  • 输入电压上限:35V
  • 输出电压:5V
  • 输出电流:最大 1A
  • 压差(Dropout):2V @ 1A(即满载时最低输入电压约 7V)
  • 静态电流(Iq):约 5mA
  • 电源纹波抑制比(PSRR):73dB @ 120Hz
  • 输出极性:正极
  • 输出通道数:1 通道
  • 工作温度:-25℃ ~ +125℃(结温 Tj)
  • 封装:TO-263(D2PAK)
  • 品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)

三、功能特点与优势

  • 高 PSRR:73dB @120Hz 的纹波抑制能力,有效降低输入电源纹波对输出的影响,适合音频、电信及精密模拟电路场景。
  • 宽输入范围与高压耐受:最高 35V 输入上限,支持多种电源拓扑与中间电压降压场景。
  • 中等压差设计:2V 压差在 1A 负载下仍能维持稳定输出,适合常见线性稳压应用(需保证输入电压裕量)。
  • 低静态电流:5mA 的工作电流在便携与功率受限场合表现尚可,但在超低功耗应用需考虑其他方案。
  • TO-263 功率封装:便于散热处理与 PCB 大面积铜箔热沉连接,可靠性高,适合工商业应用。

四、应用建议与典型电路

  • 典型应用:工业控制模块、通信设备电源、嵌入式系统、传感器供电、低噪声模拟电路、LED 驱动辅助电源等。
  • 输入输出去耦:推荐输入侧使用 10uF 以上低 ESR 电容并并联 0.1uF 陶瓷电容以抑制高频干扰;输出侧用于保证稳定性的电容建议为 10uF~47uF 低 ESR 铝电解或钽电容,同时并联 0.1uF 陶瓷电容以改善瞬态响应。请参照器件数据手册确认稳定性对 ESR 的具体要求。
  • 过压与浪涌保护:在工业或汽车等存在浪涌的环境中,建议输入端增加 TVS 二极管与串联限流/滤波元件以保护器件。
  • 旁路与滤波:若需更佳纹波抑制,可在输入端加入 LC 或 RC 滤波器;注意滤波网络不要影响 LDO 的稳定性。

五、散热与可靠性注意事项

  • 功率耗散计算:Pd = (Vin - 5V) × Iout。在满载 1A 且 Vin 较高时,Pd 可能较大,需要充分的热管理。
  • PCB 布局:建议在 TO-263 底部与焊盘处设计大面积铜箔散热区,多层板时连通内层散热平面并通过过孔导热到反面,改善结-环境热阻。
  • 保护机制:常见 LDO 设计通常包含热关断与限流保护,但设计时仍需考虑连续短路及过载情形下的热应力与可靠性。

六、选型与替代建议

如需更低压差、更低功耗或更高精度的输出,可考虑查阅具有更低压差(低于 1V)、更低静态电流(µA 级)或更高精度的 LDO 产品。若应用对热敏感或需更大输出电流,应选择大功率封装或切换到 DC-DC 降压转换器以提高整机效率。

七、封装与采购信息

L7805CD2T-HXY 使用 TO-263 表面贴装封装,适合自动化贴装与波峰/回流焊工艺。具体订货信息、引脚定义、典型特性曲线及详细电气规格请参考华轩阳电子正式数据手册与样品数据表,或联系供应商获取最新版本资料与可靠性认证信息。

总结:L7805CD2T-HXY 是一款适用于中高压输入、需要稳定 5V 输出且对纹波抑制有较高要求的线性稳压器。选择时应重点关注输入电压裕度、功耗与散热设计,以确保长期稳定可靠运行。