型号:

LM258DR

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LM258DR 产品实物图片
LM258DR 一小时发货
描述:通用 放大器 2 电路
库存数量
库存:
4120
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.217
2500+
0.19
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)32V
输入失调电压(Vos)5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)7uV/℃
输入偏置电流(Ib)300nA
输入失调电流(Ios)3nA
共模抑制比(CMRR)85dB
输入失调电流温漂(Ios TC)10pA/℃
静态电流(Iq)500uA
输出电流20mA
工作温度-20℃~+85℃
单电源0V~32V
双电源(Vee~Vcc)-16V~16V

LM258DR 产品概述

一、概述

LM258DR 是友台半导体(UMW)推出的一款通用双路运算放大器,封装为 SOIC-8,面向工业与消费类的模拟信号处理场景。该器件支持宽电源电压范围,单电源工作可达 0V 至 32V,双电源对称范围为 ±16V,适用于多种电源拓扑。每路具有较低的输入失调与偏置电流、良好的共模抑制能力,适合用于传感器信号调理、低频滤波、缓冲驱动等常见电路。

二、主要参数

  • 放大器数:双路
  • 最大电源宽度 (Vdd−Vss):32V
  • 单电源工作范围:0V ~ 32V;双电源:−16V ~ +16V
  • 输入失调电压 (Vos):5 mV
  • 输入失调电压温漂 (Vos TC):7 µV/℃
  • 输入偏置电流 (Ib):300 nA
  • 输入失调电流 (Ios):3 nA,温漂 (Ios TC):10 pA/℃
  • 共模抑制比 (CMRR):85 dB
  • 静态电流 (Iq):500 µA(典型,整片或单路视应用而定)
  • 输出驱动能力:典型 20 mA
  • 工作温度范围:−20 ℃ ~ +85 ℃
  • 封装:SOIC-8
    这些参数使 LM258DR 在低功耗与中等精度要求的场合表现良好,尤其适合对漂移和偏置有一定控制要求的应用。

三、引脚与封装(SOIC-8)

典型引脚排列便于在常见电路板上直接替换与布局:

  1. 输出 A
  2. 反相输入 A
  3. 同相输入 A
  4. V−(负供电或地)
  5. 同相输入 B
  6. 反相输入 B
  7. 输出 B
  8. V+(正供电)
    建议在 V+ 与 V− 之间靠近芯片放置去耦电容(如 0.1 µF 与 10 µF 并联),以保证电源稳定性与抑制瞬态噪声。

四、典型应用场景

  • 传感器信号放大与调理(温度、压力、光电等)
  • 低通/高通滤波器、积分器、比例放大电路
  • 电压跟随与缓冲驱动,用于后级 ADC 或模数转换前端
  • 简单驱动与比较级(注意并非专用高速比较器)
  • 电源监测、模拟加法器与差分放大电路

五、设计建议与注意事项

  • 由于器件并非严格的轨到轨输入/输出,输入共模靠近电源轨时性能会下降,设计时应确保输入信号留有适当裕量。
  • 对于精密测量场合,应关注输入失调电压及其温漂(Vos = 5 mV,Vos TC = 7 µV/℃),必要时可采用外部补偿或后端校准。
  • 输出驱动能力约 20 mA,适合驱动小负载,若驱动大电流或低阻负载需加缓冲或功率级。
  • 版图与走线:把敏感模拟输入线远离数字开关与大电流回流路径,输入端可增加防静电与限流保护以延长可靠性。
  • 工作环境温度需控制在 −20 ℃ 到 +85 ℃ 之间,超温可能导致参数漂移或失效。

六、总结

LM258DR(UMW/友台)是一款性能均衡的双路通用放大器,凭借 0~32V 的宽电源兼容性、较低的输入偏置和失调及良好的共模抑制,适用于多种中低频模拟应用。选择与布局时注意电源去耦、输入共模范围及热设计,可在工业控制、数据采集与通用模拟前端中获得稳定可靠的表现。若需更高精度或更宽带宽的应用,可在系统层面结合外部补偿或选择高性能替代器件。