PTVSHC3N7VU 产品概述

PTVSHC3N7VU 是 Prisemi（芯导）推出的一款单路瞬态电压抑制器（TVS），用于对电路中的静电放电（ESD）和浪涌（Surge/EFT）事件提供高速、可靠的保护。该器件以小型 DFN-3 (2×2) 封装实现高能量吸收能力与低漏电的平衡，适合对空间、性能和成本有要求的保护方案。

一、主要性能亮点

• 钳位电压（Vc）：19 V（在标准 8/20 μs 测试条件下达到的钳位性能，能有效限制过压对下游器件的冲击）。
• 击穿电压（Vbr）：10 V（器件进入击穿导通区的标称电压）。
• 反向截止电压（Vrwm，工作电压）：7 V（建议长期工作电压不超过此值）。
• 峰值脉冲功率（Ppp）：4.3 kW @ 8/20 μs（短时大能量吸收，能承受工业级浪涌冲击）。
• 峰值脉冲电流（Ipp）：260 A @ 8/20 μs（对应 8/20 μs 波形的最大脉冲电流能力）。
• 反向漏电流（Ir）：1 μA（在 Vrwm 条件下保持极低漏电，节约静态功耗）。
• 结电容（Cj）：约 1700 pF（较高的结电容值，适合电源线或低速信号线保护）。
• 通道数：单路（1 通道、单通道保护器件）。
• 标准与等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT）和 IEC 61000-4-5（浪涌）相关测试规范。
• 封装：DFN-3（2×2 mm），适合高密度 PCB 布局。

二、应用场景与适用性

PTVSHC3N7VU 主要用于需要对单路电源或信号线提供强力浪涌与静电保护的场景，包括但不限于：

• 工业控制模块、电源输入、测量仪器的电源保护。
• 通用 I/O 或低速串行总线的防护（注意大结电容会影响高速信号完整性，不适合高频高速接口如 USB3.0、HDMI）。
• 通信基站、楼宇自控与仪表板等需要耐受工业浪涌和静电干扰的场合。
• 低压电源轨（≤ Vrwm 7V）保护，例如某些传感器供电或控制回路。

三、典型电气特性与说明

• 推荐长期工作电压 Vrwm = 7 V，超过此电压器件将进入击穿并开始导通以限制电压。
• 击穿区间起始 Vbr ≈ 10 V，表明在此电压附近器件开始承载较大电流，从而保护后端电路。
• 钳位电压 19 V（8/20 μs）意味着在遭受大电流脉冲时，线路电压可被限制在约 19 V，降低对敏感器件的破坏风险。
• 峰值脉冲能量能力（4.3 kW@8/20 μs 与 260 A 峰值电流）适合吸收短时高能量冲击，但并不替代持续过流保护元件（如保险丝）。

四、封装与布局建议

• DFN-3 (2×2) 小型封装便于高密度设计，但建议在 PCB 上采用短回流路径、靠近被保护端口放置器件以最小化串联电感和抑制环路。
• 设计时为器件提供良好的接地路径，靠近地平面的过孔可以帮助散热与能量分散，必要时增大焊盘面积以提升热耗散能力。
• 注意遵循厂商推荐的焊盘和回流曲线以确保焊接可靠性及器件机械强度。

五、选型与注意事项

• Cj = 1700 pF 表明本器件电容较大，不适用于高速差分信号线或要求低输入电容的接口；如需保护高速数据线，请选用低电容 TVS 器件。
• 对于长期承受脉冲或高重复率冲击的应用，建议在系统中配合熔断器、限流电阻或滤波元件共同设计，以提高整体可靠性。
• 在选型时确认 Vrwm（7 V）与系统工作电压匹配，避免在正常工作条件下反复触发击穿，从而影响器件寿命。

六、可靠性与合规

PTVSHC3N7VU 符合 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 测试要求，能在工业环境中提供可信赖的瞬态抑制性能。低漏电（1 μA）有利于电池供电或待机功耗敏感应用。为确保长期可靠性，建议在实际产品开发阶段做整机级的 ESD 与浪涌测试验证。

品牌与封装：Prisemi（芯导），DFN-3 (2×2)。型号：PTVSHC3N7VU。如需样片或大批量采购，请联系供应商获取数据手册与 PCB 布局建议。